समाचार

उद्योग समाचार

SiC सिंगल क्रिस्टल ग्रोथको लागि थर्मल फिल्ड डिजाइन06 2024-08

SiC सिंगल क्रिस्टल ग्रोथको लागि थर्मल फिल्ड डिजाइन

सत्ता इलेक्ट्रोनिक्स, अप्पिनोलेट्जानिक्स र अन्य क्षेत्रहरूमा बढ्दो मागको साथ, SIC एकल क्रिस्टल विकास टेक्नोलोजीको विकास वैज्ञानिक र टेक्नोलोजिकल आविष्कारको एक प्रमुख क्षेत्र बन्छ। SIC एकल क्रिस्टल बृद्धि उपकरणको कोरको रूपमा, थर्मल फिल्ड डिजाइनले व्यापक ध्यान प्राप्त गर्न जारी राख्नेछ र गहन अनुसन्धानको लागि।
रिकभरीको विकास इतिहास29 2024-07

रिकभरीको विकास इतिहास

लगातार प्राविधिक प्रगति र गहन संयन्त्र अनुसन्धानको माध्यमबाट ACC-आकार हेटरथीफीक्सनीय टेक्नोलोजी मार्फत अर्धविरोधी उद्योगमा बढी महत्त्वपूर्ण भूमिका खेल्ने अपेक्षा गरिएको छ र उच्च प्रभावकारी इलेक्ट्रॉनिक उपकरणहरूको विकासलाई बढावा दिन सकिन्छ।
Ald आणविक तह जम्मा नुस्खा27 2024-07

Ald आणविक तह जम्मा नुस्खा

स्थायी एल्डियल एल्ल, spactially अलग परमाणु छेडिकर तह जम्मा। वेफर बिभिन्न पदहरू बीचको कदम चाल्दछ र प्रत्येक स्थितिमा विभिन्न प्रस्तावहरूको पर्दाफास हुन्छ। तलका फिगर परम्परागत एल्ड र स्थानान्तरण अलग नहुने Ald को तुलना हो।
X
हामी तपाईंलाई राम्रो ब्राउजिङ अनुभव प्रदान गर्न, साइट ट्राफिक विश्लेषण र सामग्री निजीकृत गर्न कुकीहरू प्रयोग गर्छौं। यो साइट प्रयोग गरेर, तपाईं कुकीहरूको हाम्रो प्रयोगमा सहमत हुनुहुन्छ।गोपनीयता नीति
अस्वीकार गर्नुहोस्स्वीकार गर्नुहोस्