छिद्रपूर्ण ग्रेफाइट

SiC सब्सट्रेट उत्पादकहरूले सामान्यतया तातो क्षेत्र प्रक्रियाको लागि छिद्रपूर्ण ग्रेफाइट सिलिन्डरको साथ क्रुसिबल डिजाइन प्रयोग गर्छन्। यो डिजाइनले वाष्पीकरण क्षेत्र र चार्ज मात्रा बढाउँछ। क्रिस्टल दोषहरू सम्बोधन गर्न, सामूहिक स्थानान्तरण स्थिर गर्न, र SiC क्रिस्टल गुणस्तर बृद्धि गर्न नयाँ प्रक्रिया विकसित गरिएको छ। यसले थर्मल विस्तार र तनाव राहतको लागि बीजविहीन क्रिस्टल ट्रे फिक्सेसन विधि समावेश गर्दछ। यद्यपि, क्रुसिबल ग्रेफाइट र छिद्रपूर्ण ग्रेफाइटको सीमित बजार आपूर्तिले SiC एकल क्रिस्टलको गुणस्तर र उपजमा चुनौती खडा गर्छ।

VeTek सेमीकन्डक्टर पोरस ग्रेफाइटका मुख्य विशेषताहरू:

1. उच्च तापमान वातावरण सहिष्णुता - उत्पादनले 2500 डिग्री सेल्सियसको वातावरणको सामना गर्न सक्छ, उत्कृष्ट गर्मी प्रतिरोध प्रदर्शन गर्दछ।

2. कडा पोरोसिटी नियन्त्रण - VeTek सेमीकन्डक्टरले लगातार प्रदर्शन सुनिश्चित गर्दै, कडा पोरोसिटी नियन्त्रण राख्छ।

3.अल्ट्रा-उच्च शुद्धता - प्रयोग गरिएको छिद्रपूर्ण ग्रेफाइट सामग्रीले कठोर शुद्धिकरण प्रक्रियाहरू मार्फत उच्च स्तरको शुद्धता प्राप्त गर्दछ।

4. उत्कृष्ट सतह कण बाध्यकारी क्षमता - VeTek सेमीकन्डक्टरमा उत्कृष्ट सतह कण बाध्यकारी क्षमता र पाउडर आसंजनको प्रतिरोध छ।

5. ग्यास ढुवानी, प्रसार, र एकरूपता - ग्रेफाइटको छिद्रपूर्ण संरचनाले प्रभावकारी ग्यास ढुवानी र प्रसारलाई सहज बनाउँछ, परिणामस्वरूप ग्यास र कणहरूको एकरूपतामा सुधार हुन्छ।

6. गुणस्तर नियन्त्रण र स्थिरता - VeTek सेमीकन्डक्टरले क्रिस्टल वृद्धिमा गुणस्तर सुनिश्चित गर्न उच्च शुद्धता, कम अशुद्धता सामग्री, र रासायनिक स्थिरतालाई जोड दिन्छ।

7. तापक्रम नियन्त्रण र एकरूपता - छिद्रपूर्ण ग्रेफाइटको थर्मल चालकताले समान तापमान वितरणलाई सक्षम बनाउँछ, वृद्धिको समयमा तनाव र दोषहरू कम गर्दछ।

8. परिष्कृत घुलनशील प्रसार र वृद्धि दर - छिद्रपूर्ण संरचनाले पनि घुलनशील वितरणलाई बढावा दिन्छ, वृद्धि दर र क्रिस्टलको एकरूपता बढाउँछ।