समाचार

CVD Tak कोटिंग एक प्रक्रिया हो जुन सब्सट्रेट (Grifite) मा एक बाने र टिकाऊ को कोटिंग को लागी एक प्रक्रिया हो। यस विधिमा उच्च तापक्रमको सब भन्दा विश्रामको सतहमा ट्याएट जम्मा गर्नु समावेश छ, परिणामस्वरूप टन्टलम कार्ब्याड (टेक) को रूप मा उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता र रासायनिक प्रतिरोधको साथ।

8 इन्चको सिलिकन कार्बाइड (SiC) प्रक्रिया परिपक्व भएपछि, निर्माताहरूले 6-इन्चबाट 8-इन्चमा परिवर्तनलाई गति दिइरहेका छन्। भर्खरै, ON ​​सेमीकन्डक्टर र Resonac ले 8-इन्च SiC उत्पादनमा अद्यावधिकहरूको घोषणा गर्‍यो।

यस लेखले इटालियन कम्पनी LPE को नयाँ डिजाइन गरिएको PE1O8 हट-वाल CVD रिएक्टर र 200mm SiC मा एकसमान 4H-SiC epitaxy प्रदर्शन गर्ने क्षमताको नवीनतम विकासहरू प्रस्तुत गर्दछ।

सत्ता इलेक्ट्रोनिक्स, अप्पिनोलेट्जानिक्स र अन्य क्षेत्रहरूमा बढ्दो मागको साथ, SIC एकल क्रिस्टल विकास टेक्नोलोजीको विकास वैज्ञानिक र टेक्नोलोजिकल आविष्कारको एक प्रमुख क्षेत्र बन्छ। SIC एकल क्रिस्टल बृद्धि उपकरणको कोरको रूपमा, थर्मल फिल्ड डिजाइनले व्यापक ध्यान प्राप्त गर्न जारी राख्नेछ र गहन अनुसन्धानको लागि।