समाचार

--इन्च एस एस एयर एपिट्याजिकल भट्टी र होरोइटाटाटाक्टिल प्रक्रिया अनुसन्धान

लेखले सिलिकन, GaAs, SiC र GaN जस्ता अर्धचालक सब्सट्रेट वेफरहरूको भौतिक गुणहरूको विश्लेषण गर्दछ।

यस लेखमा Gan-आधारित सामग्री, 3 को क्रिस्टल टेक्नोलोजी आवश्यकताहरू सहित gan-आधारित कम-तापमान सैन्य टेक्नोलोजी, र कम सेन्टेक्साइयल टेक्नोलोजीको फाइदाहरू, कम सेन्टेक्सायर टेक्नोलोजीको फाइदा।