समाचार

8 इन्चको सिलिकन कार्बाइड (SiC) प्रक्रिया परिपक्व भएपछि, निर्माताहरूले 6-इन्चबाट 8-इन्चमा परिवर्तनलाई गति दिइरहेका छन्। भर्खरै, ON ​​सेमीकन्डक्टर र Resonac ले 8-इन्च SiC उत्पादनमा अद्यावधिकहरूको घोषणा गर्‍यो।

यस लेखले इटालियन कम्पनी LPE को नयाँ डिजाइन गरिएको PE1O8 हट-वाल CVD रिएक्टर र 200mm SiC मा एकसमान 4H-SiC epitaxy प्रदर्शन गर्ने क्षमताको नवीनतम विकासहरू प्रस्तुत गर्दछ।

सत्ता इलेक्ट्रोनिक्स, अप्पिनोलेट्जानिक्स र अन्य क्षेत्रहरूमा बढ्दो मागको साथ, SIC एकल क्रिस्टल विकास टेक्नोलोजीको विकास वैज्ञानिक र टेक्नोलोजिकल आविष्कारको एक प्रमुख क्षेत्र बन्छ। SIC एकल क्रिस्टल बृद्धि उपकरणको कोरको रूपमा, थर्मल फिल्ड डिजाइनले व्यापक ध्यान प्राप्त गर्न जारी राख्नेछ र गहन अनुसन्धानको लागि।