SiC लेपित ग्रेफाइट क्रुसिबल डिफ्लेक्टर एकल क्रिस्टल फर्नेस उपकरणमा एक प्रमुख घटक हो, यसको कार्य क्रुसिबलबाट क्रिस्टल ग्रोथ जोनमा पग्लिएको सामग्रीलाई सहज रूपमा मार्गदर्शन गर्नु हो, र एकल क्रिस्टल वृद्धिको गुणस्तर र आकार सुनिश्चित गर्नु हो। भेटेक अर्धचालकले दुबै ग्रेफाइट र SiC कोटिंग सामग्री प्रदान गर्नुहोस्। थप विवरणहरूको लागि हामीलाई सम्पर्क गर्न स्वागत छ।
VeTek Semiconducotr एक पेशेवर चीन SiC लेपित ग्रेफाइट क्रूसिबल डिफ्लेक्टर निर्माता र आपूर्तिकर्ता हो। SiC लेपित ग्रेफाइट क्रुसिबल डिफ्लेक्टर मोनोक्रिस्टलाइन फर्नेस उपकरणमा एक महत्त्वपूर्ण घटक हो, जसलाई मोनोक्रिस्टल बृद्धिको गुणस्तर र आकार सुनिश्चित गर्दै क्रुसिबलबाट क्रिस्टल ग्रोथ जोनमा पग्लिएको सामग्रीलाई सहज रूपमा मार्गदर्शन गर्ने जिम्मेवारी दिइएको छ।
हाम्रो SIC लेपित ग्रेफाइट क्रूसिबल परिभाषित गर्ने कार्यहरू:
प्रवाह नियन्त्रण: यसले Czochralski प्रक्रियाको क्रममा पिघलाएको सिलिकनको प्रवाहलाई निर्देशित गर्दछ, क्रिस्टलको वृद्धिलाई बढावा दिन पिघलाएको सिलिकनको समान वितरण र नियन्त्रित आन्दोलन सुनिश्चित गर्दछ।
तापमान नियमन: यसले पग्लिएको सिलिकन भित्र तापमान वितरणलाई विनियमित गर्न मद्दत गर्दछ, क्रिस्टलको वृद्धिको लागि इष्टतम अवस्थाहरू सुनिश्चित गर्दै र तापमान ढाँचालाई न्यूनतम गर्दछ जसले मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकनको गुणस्तरलाई असर गर्न सक्छ।
प्रदूषण रोकथाम: पग्लिएको सिलिकनको प्रवाहलाई नियन्त्रण गरेर, यसले सेमीकन्डक्टर अनुप्रयोगहरूको लागि आवश्यक उच्च शुद्धता कायम राख्दै, क्रूसिबल वा अन्य स्रोतहरूबाट प्रदूषण रोक्न मद्दत गर्दछ।
स्थिरता: अपमान गर्नेले अशान्ति कम गरेर क्रिस्टल बृद्धि प्रक्रियाको स्थानान्तरणलाई योगदान पुर्याउँछ र यो समान क्रिस्टल गुणहरू प्राप्त गर्न महत्वपूर्ण छ।
क्रिस्टल बृद्धिको सुविधा: अर्धोन्डरकय निर्माणमा प्रयोग गरिएको उच्च-गुणवत्ता पोषण सिलिकन वेइस उत्पादन गर्न आवश्यक छ।
आकार कोटेड ग्रेफाइट क्रूसिबल निहित विक्रेता को उत्पादन प्यारामिटर
एस्टस्टेटिक ग्राफिटका भौतिक गुणहरू
सम्पति
एकाइ
विशिष्ट मान
बल्क घनत्व
g / CM³
1.83
कडा
एचडीडी
58
विद्युतीय प्रतिरोधी
μΩ.m
10
लचिलो शक्ति
एकौ बोल्नु
47
कम्प्रेसिभ शक्ति
एकौ बोल्नु
103
Titsild शक्ति
एकौ बोल्नु
31
युवा मोडलस
गेपी
11.8
थर्मल विस्तार (cte)
10-६K-१
4.6
थर्मल चालकता
W·m-१· K-१
130
अनाजको औसत आकार
mmm
-१0-10
पोर्साली
%
10
खरानी सामग्री
पीपीएम
≤10 (पूरै शुद्ध पछि)
नोट: कोटिंग गर्नु अघि, हामी पहिलो शुद्धिकरण गर्नेछौं, कोटिंग पछि, दोस्रो शुद्धिकरण गर्नेछौं।
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
हामी तपाईंलाई राम्रो ब्राउजिङ अनुभव प्रदान गर्न, साइट ट्राफिक विश्लेषण र सामग्री निजीकृत गर्न कुकीहरू प्रयोग गर्छौं। यो साइट प्रयोग गरेर, तपाईं कुकीहरूको हाम्रो प्रयोगमा सहमत हुनुहुन्छ। गोपनीयता नीति