सामग्री र डिजाइन

मिल्दो सब्सट्रेट र कोटिंग संयोजन चयन गर्नु समयपूर्व कम्पोनेन्ट विफलता रोक्न, कण प्रदूषण कम गर्न, र वेफर उपज अधिकतम बनाउनको लागि कुञ्जी हो। हामी ग्राहकको विशिष्ट प्रक्रिया विन्डो (सञ्चालन तापमान, प्रतिक्रियाशील ग्यास रसायन विज्ञान, र्‍याम्प दरहरू) वरिपरि अनुकूल सामग्री र संरचनात्मक डिजाइन समाधानहरू प्रदान गर्दछौं।

हाम्रो कोर डिजाइन क्षमताहरू:

• कठोर CTE तनाव मिलान:द्रुत थर्मल साइकल चलाउनका लागि (>100 °C/min), हामी उच्च शुद्धता ग्रेफाइट सब्सट्रेटहरू र CVD कोटिंग्सको CTE तापक्रम वक्रहरूसँग ठ्याक्कै मेल खान्छौं, मौलिक रूपमा कोटिंग डेलामिनेशन र माइक्रो-क्र्याकिंगको जोखिमलाई कम गर्छ।
• प्रक्रिया-दृश्य-विशिष्ट कोटिंग चयन:Si/SiC epitaxy (Epi), MOCVD, र प्लाज्मा नक्काशी वातावरणको लागि CVD SiC कोटिंग; उच्च-तापमान र कडा संक्षारक अवस्थाहरूको लागि CVD TaC कोटिंग (जस्तै, SiC एकल-क्रिस्टल PVT वृद्धि)।
• नियन्त्रित प्रतिरोधात्मकता र थर्मल चालकता अनुकूलन:बल्क प्रतिरोधात्मकता र सब्सट्रेट र कोटिंगको थर्मल चालकताको सटीक नियन्त्रण RF, ESC इलेक्ट्रोस्टेटिक चकहरू, वा ताप क्षेत्रहरूको विशिष्ट विद्युतीय र थर्मल-फिल्ड आवश्यकताहरू पूरा गर्न।
• प्रदूषण स्रोत नियन्त्रण र सीओओ कटौती:उच्च-शुद्धता CVD डिपोजिसन लेयरहरूले सघन रूपमा पोरस ग्रेफाइटलाई सील गर्दछ, महत्त्वपूर्ण रूपमा कण बहाव, अल्ट्रा-ट्रेस धातु अशुद्धता फैलावट, र उच्च-तापमान बाहिर निस्कने जोखिम कम गर्दछ।

विशिष्ट कोटिंग चयन तुलना (एक नजरमा गाइड)

वास्तविक मामला र ग्राहक लाभ (अनुभव):

एक अग्रणी SiC epitaxy (Epi) निर्माता:मूल कम्पोनेन्टले बेमेल CVD TaC कोटिंग प्रयोग गर्‍यो, परिणामस्वरूप अत्यधिक इन्टरफेसियल तनाव र उच्च तापमानमा बारम्बार माइक्रो क्र्याकहरू। हामीले थर्मोडायनामिक सिमुलेशनहरू पुन: चलायौं र a मा स्विच गर्यौंCTE-मिल्ने विशेषता उच्च शुद्धता ग्रेफाइट सब्सट्रेट + बफर तह + CVD SiC कोटिंगसमाधान। परिणाम: औसत घटक जीवनकाल 200 घण्टा 850 घण्टा बढ्यो; प्रति उपकरण वार्षिक प्रतिस्थापन आवृत्ति 40 देखि 9 पटक घट्यो; व्यापक उपकरण O&M लागत बचत प्रति वर्ष RMB 650,000 नाघेको छ।

TaC र SiC कोटिंग्सका लागि GDMS शुद्धता विश्लेषण रिपोर्ट

FAQ

अब तपाइँको विशेष सेवा सुरु गर्नुहोस्