वेब मेनु

उत्पादन खोज

भाषा

प्राविधिक र समाधानहरू

चयन गाइड

प्रविधि र प्रवृत्तिहरूसमाधानहरूचयन गाइडकेस स्टडीज
01 Epitaxy र Etching प्रक्रियाहरूमा CVD SiC, TaC र ठोस SiC को प्रदर्शन सीमाहरू
05

01 Epitaxy र Etching प्रक्रियाहरूमा CVD SiC, TaC र ठोस SiC को प्रदर्शन सीमाहरू

सही CVD SiC, TaC कोटिंग वा ठोस SiC चयन गर्दा एपिटेक्सी/एचिङ लाइनहरूमा कण स्तरहरू र कम्पोनेन्ट लाइफटाइम प्रत्यक्ष रूपमा निर्धारण गर्दछ। यस लेखले तापमान, वातावरण र प्रक्रियाद्वारा स्पष्ट चयन सीमाहरू प्रदान गर्दछ, प्रमुख उपकरण प्रतिस्थापन समाधानहरू र मुख्य मेट्रिक्ससँग मेल खान्छ, तपाईंलाई छिटो निर्णय गर्न र जोखिम कम गर्न मद्दत गर्न।
थप हेर्नुहोस्
समाचार सिफारिसहरू
Wafers मा Notch के हो?
Wafers मा Notch के हो?थप हेर्नुहोस् >>
सेविड टेक टेक टेक टेकल बृद्धि हुने प्रक्रियाको लागि कस्ता चुनौतीहरूको लागि प्रक्रिया
सेविड टेक टेक टेक टेकल बृद्धि हुने प्रक्रियाको लागि कस्ता चुनौतीहरूको लागि प्रक्रियाथप हेर्नुहोस् >>
4-इन्च देखि 8-इन्च: SiC सेमीकन्डक्टर वृद्धिको एक दशक
4-इन्च देखि 8-इन्च: SiC सेमीकन्डक्टर वृद्धिको एक दशकथप हेर्नुहोस् >>
PZT Piezoelectric Wafers: Next-Gen MEMS को लागि उच्च प्रदर्शन समाधान
PZT Piezoelectric Wafers: Next-Gen MEMS को लागि उच्च प्रदर्शन समाधानथप हेर्नुहोस् >>
Aixtron G10 कम्पोनेन्टहरू: उच्च प्रदर्शन SiC Epitaxy को लागि मुख्य भागहरू
Aixtron G10 कम्पोनेन्टहरू: उच्च प्रदर्शन SiC Epitaxy को लागि मुख्य भागहरूथप हेर्नुहोस् >>
सिलिकन कार्बर्ड सीधा क्यारेड के हो?
सिलिकन कार्बर्ड सीधा क्यारेड के हो?थप हेर्नुहोस् >>
X
हामी तपाईंलाई राम्रो ब्राउजिङ अनुभव प्रदान गर्न, साइट ट्राफिक विश्लेषण र सामग्री निजीकृत गर्न कुकीहरू प्रयोग गर्छौं। यो साइट प्रयोग गरेर, तपाईं कुकीहरूको हाम्रो प्रयोगमा सहमत हुनुहुन्छ। गोपनीयता नीति
अस्वीकार गर्नुहोस्स्वीकार गर्नुहोस्