Vetek CVD TaC लेपित ससेप्टर एक सटीक समाधान हो जुन विशेष गरी उच्च प्रदर्शन MOCVD epitaxial वृद्धिको लागि विकसित गरिएको छ। यसले 1600 डिग्री सेल्सियसको चरम उच्च-तापमान वातावरणमा उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता र रासायनिक जडता देखाउँछ। VETEK को कठोर CVD डिपोजिसन प्रक्रियामा भर पर्दै, हामी वेफर वृद्धि एकरूपता सुधार गर्न, कोर कम्पोनेन्टहरूको सेवा जीवन विस्तार गर्न, र अर्धचालक उत्पादनको प्रत्येक ब्याचको लागि स्थिर र भरपर्दो कार्यसम्पादन ग्यारेन्टीहरू प्रदान गर्न प्रतिबद्ध छौं।
VETEK CVD TaC लेपित ससेप्टर एक उच्च-अन्त वेफर क्यारियर कम्पोनेन्ट हो जुन विशेष गरी तेस्रो-पुस्ताको अर्धचालक (SiC, GaN, AlN) एपिटेक्सियल प्रशोधनको लागि प्रयोग गरिन्छ। यो उत्पादनले दुई उच्च प्रदर्शन सामग्रीको भौतिक फाइदाहरू संयोजन गर्दछ:
उच्च शुद्धता ग्रेफाइट सब्सट्रेट: सब्सट्रेटमा उच्च संरचनात्मक बल, उच्च घनत्व, र थर्मल प्रशोधन स्थिरता सुनिश्चित गर्न आइसोस्टेटिक प्रेसिङ मोल्डिङ प्रक्रिया प्रयोग गर्दछ।
CVD TaC कोटिंग: एक घना, तनाव-रहित ट्यान्टालम कार्बाइड (TaC) सुरक्षात्मक तह उन्नत रासायनिक वाष्प निक्षेप (CVD) प्रविधि मार्फत ग्रेफाइट सतहमा बढाइन्छ।
मुख्य प्राविधिक लाभहरू: असाधारण चरम वातावरण अनुकूलन क्षमता
MOCVD प्रक्रियामा, TaC कोटिंग एक भौतिक सुरक्षात्मक तह मात्र होइन तर प्रक्रिया पुनरावृत्ति सुनिश्चित गर्नको लागि मूल पनि हो:
चरम उच्च तापमान को सहनशीलता: TaC को 3880°C जति उच्च पिघलने बिन्दु छ, 1600°C माथिको अति-उच्च तापक्रम एपिटेक्सियल प्रक्रियाहरूमा पनि उत्कृष्ट आकार स्थिरता कायम राख्छ।
उत्कृष्ट जंग प्रतिरोध: NH₃(अमोनिया) वा H₂(हाइड्रोजन) भएको बलियो घटाउने वातावरणमा, TaC को क्षरण दर अत्यन्तै कम हुन्छ, जसले प्रभावकारी रूपमा सब्सट्रेट हानि र अशुद्धता अवक्षेपणलाई रोक्छ।
अल्ट्रा-उच्च शुद्धता ग्यारेन्टी: कोटिंग शुद्धता 99.9995% को रूपमा उच्च छ। यसको बाक्लो संरचनाले ग्रेफाइट माइक्रोपोरहरूलाई पूर्ण रूपमा सील गर्दछ, एपिटेक्सियल फिल्म अत्यन्त कम अशुद्धता स्तरहरूमा पुग्ने सुनिश्चित गर्दछ।
सटीक थर्मल क्षेत्र वितरण: VETEK को अनुकूलित कोटिंग नियन्त्रण टेक्नोलोजीले ससेप्टर सतहको तापमान भिन्नता ±2 डिग्री सेल्सियस भित्र नियन्त्रण गरिएको सुनिश्चित गर्दछ, उल्लेखनीय रूपमा वेफर एपिटेक्सियल तहको मोटाई र तरंग लम्बाइ स्थिरतामा सुधार गर्दछ।
SiC (सिलिकन कार्बाइड) एपिटेक्सियल ग्रोथ: 6-इन्च, 8-इन्च, र ठूलो साइज SiC पावर उपकरणहरूको उत्पादनलाई समर्थन गर्दछ।
GaN (गैलियम नाइट्राइड) आधारित उपकरणहरू: उच्च-चमक LEDs, HEMT पावर यन्त्रहरू, र RF चिपहरूको लागि MOCVD प्रक्रियाहरूमा प्रयोग गरिन्छ।
AlN (एल्युमिनियम नाइट्राइड) र UVC वृद्धि: अत्यधिक उच्च-तापमान (1400°C+) वाहक समाधानहरू अल्ट्रा-वाइड ब्यान्डग्याप सामग्रीहरू जस्तै डीप UV LEDs को लागि प्रदान गर्दछ।
अनुकूलित अनुसन्धान समर्थन: विभिन्न अनियमित भागहरू र बहु-प्वाल डिस्कहरूको लागि अनुसन्धान संस्थानहरूको सटीक अनुकूलन आवश्यकताहरू अनुकूल गर्दछ।
मिल्दो मोडेल र अनुकूलन सेवाहरू
VETEK सँग सटीक मेकानिकल प्रशोधन र कोटिंग क्षमताहरू छन्, पूर्ण रूपमा विश्वव्यापी मुख्यधारा MOCVD उपकरणहरूमा अनुकूलन गर्दै:
AIXTRON: विभिन्न ग्रह परिक्रमा डिस्क र आधारहरू समर्थन गर्दछ।
भिको: K465i, प्रोपेल, र अन्य ठाडो ससेप्टर श्रृंखला समर्थन गर्दछ।
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
हामी तपाईंलाई राम्रो ब्राउजिङ अनुभव प्रदान गर्न, साइट ट्राफिक विश्लेषण र सामग्री निजीकृत गर्न कुकीहरू प्रयोग गर्छौं। यो साइट प्रयोग गरेर, तपाईं कुकीहरूको हाम्रो प्रयोगमा सहमत हुनुहुन्छ। गोपनीयता नीति