CVD TAC लेकेक्षित तीन-पेटल गाइड रिंग

सिलिकन कार्थ्रेस एकल क्रिस्टल सबर्थ सामग्री भनेको क्रिस्टल सामग्री हो, जुन फ्रेम ब्यान्ड्याप अर्धवेंड्रन्डुनिक सामग्रीको हो। यो उच्च भोल्टेज प्रतिरोध, उच्च तापमान प्रतिरोध, उच्च फ्रिक्वेन्सी, कम घाटा, आदि हो भने उच्च पावर पावर इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरू र माइक्रोवेभ रेफर आवृत्ति उपकरणहरूको तयारीमा आधारभूत सामग्री हो। वर्तमानमा, स्क्स्ट क्रिस्टलहरू बढाउनका लागि मुख्य विधिहरू भौतिक बाफ यातायात (PVT विधि), उच्च तापमान रासायनिक वाणिशन (HTCVD विधि), तरल चरण विधि, आदि।

भौतिक बाफ यातायात (PVT) विधि ठूलो - स्थापित प्रविधि ठूलो - मापन औद्योगिक उत्पादनको लागि अत्यधिक उपयुक्त छ। यस प्रक्रियामा, साइको बीउ क्रिस्टल, कडा पाउडर को शीर्षमा राखिएको छ, जबकि सीसी सामग्रीको रूपमा सेवा गर्दै, क्रूसिबल तल राखिएको छ। उच्च तापमान र कम दबाबको सर्तहरूमा, बन्द वातावरण भित्रमा, SIC पाउडर sublise। तापमान ढाँचा र एकाग्रता भिन्नताबाट संचालित, Sublyly प्रजातिहरूले बीउ क्रिस्टलको नजिकको क्षेत्रतर्फ माथि सर्दछन्। एक पटक एक सुपरवाटटेड राज्यमा पुगेपछि पुन: प्राप्तिपूर्णकरण हुन्छ, सटीक नियन्त्रणको लागि सटीक नियन्त्रणको लागि आकार र विशिष्ट क्रिस्टल प्रकारका बढेको आकार क्रिस्टलहरूको लागि।

CVD TAC लेकेड तीन - पेटेल गाइड रिंगले धेरै महत्वपूर्ण कार्यहरू गर्दछ। मुख्यतया, क्रिस्टल बृद्धि क्षेत्र एक समान वातावरणमा उकाएको छ भन्ने सुनिश्चितताले यसले ग्यावर बृद्धि गरेर तरल पदार्थ मेकानिक्स बढाउँदछ। थप रूपमा, यसले SIC क्रिस्टल बृद्धि प्रक्रियाको दौडान प्रभावकारी रूपमा गर्मी हटायो। उपयुक्त तापक्रम ढाँचा कायम राखेर, असमान तापमान वितरणको कारण क्रिस्टल त्रुटिहरूको जोखिम अनु organies ्ग्रेजी सर्तहरू अनुकूलित गर्दछ।