CVD TAC को मोटिंग ग्रह SIC एपिट्याजिकल सशवर्षक

Aixtron प्लानेटरी रिएक्टर सबैभन्दा उन्नत मध्ये एक होMOCVD उपकरण। यो धेरै रिसाएर उत्पादकहरूको लागि सिक्ने टेम्पलेट बनेको छ। तेर्सो लामिनेर बृद्धिुरहरूको सिद्धान्तमा आधारित, यसले विभिन्न सामग्रीहरू बीच स्पष्ट संक्रमणकोर्स र एकल आणविक तह तहवर क्षेत्रमा जम्मा गरिएको नियन्त्रण हो, विशिष्ट सर्तहरूको अन्तर्गत घुमाउने शरीरमा जम्मा गरिएको। 

यी सबैको सबैभन्दा महत्त्वपूर्ण बहु घुमार्जन संयन्त्र हो: रिंगरले सीवीडी टेकको बहु घुमापत्रहरू अपनाई र यस रोटेशनले वेफरलाई यसको प्रतिक्रियाको क्रममा प्रतिक्रिया ग्यासलाई समान रूपमा खुलासा गर्न अनुमति दिन्छ, जसले गर्दा वेफरमा जम्मा गरिएको सामग्रीले रचनात्मक मोटाई, संरचना र डोपिंगमा समावेश गर्दछ।

TaC सिरेमिक उच्च पिघलने बिन्दु (3880 डिग्री सेल्सियस), उत्कृष्ट थर्मल चालकता, विद्युत चालकता, उच्च कठोरता र अन्य उत्कृष्ट गुणहरू सहित एक उच्च प्रदर्शन सामग्री हो, सबैभन्दा महत्त्वपूर्ण क्षरण प्रतिरोध र ओक्सीकरण प्रतिरोध हो। SiC र समूह III नाइट्राइड अर्धचालक सामाग्री को epitaxial वृद्धि अवस्था को लागी, TaC मा उत्कृष्ट रासायनिक जडता छ। तसर्थ, CVD विधिद्वारा तयार गरिएको CVD TaC कोटिंग प्लानेटरी SiC एपिटेक्सियल ससेप्टरमा स्पष्ट फाइदाहरू छन्।SiC epitaxial वृद्धिप्रक्रिया।

TaC-लेपित ग्रेफाइटको क्रस-सेक्शनको SEM छवि

●  उच्च तापक्रम प्रतिरोध: SIC ऑपिटाएक्सियल बृद्धि तापमान 1 1500 जति उच्च छ ℃ - 10000 ℃ वा उच्च। TAC को पग्लिंग पोइन्ट लगभग 000000 को जत्तिकै उच्च छ। त्यस पछिTaC कोटिंगग्रेफाइट सतहमा लागू हुन्छ,Grafite भागहरूउच्च तापक्रममा राम्रो स्थिरता कायम गर्न सक्दछ, SIC ऑपिटाइक्सल बृद्धि को उच्च तापमान को लागी, र एपिटाएक्साइजिकल बृद्धि प्रक्रियाको सहज प्रगति सुनिश्चित गर्दछ।

● ओभररेड कन्शर्ड प्रतिरोध: TaC कोटिंगमा राम्रो रासायनिक स्थिरता छ, प्रभावकारी रूपमा यी रासायनिक ग्यासहरूलाई ग्रेफाइटको सम्पर्कबाट अलग गर्दछ, ग्रेफाइटलाई क्षरण हुनबाट रोक्छ, र ग्रेफाइट भागहरूको सेवा जीवन विस्तार गर्दछ।

● सुधारिएको थर्मल चालकता: TAC कोटिंगले ग्रेफाइट भागहरूको सतहमा समान रूपले वितरित सुधार गर्न सक्दछ, त्यसैले ग्राफ एपिट्याजिकल बृद्धिका लागि स्थिर तापक्रम वातावरणलाई अझ समानता प्रदान गर्न सकिन्छ। यसले SIC एपिट्याटाएक्टियल लेयरको बृद्धिको समानता सुधार गर्न मद्दत गर्दछ।

● अशुद्धता प्रदूषण कम गर्नुहोस्: TAC कोटिंगले SIC सँग प्रतिक्रिया गर्दैन र क्रीफ्याटबियल तहमा मतभेदमा विच्छेद गर्नको लागि डिस्प्ले गर्नबाट प्रभावकारी अवरोधको रूपमा काम गर्न सक्दछ, जसले गर्दा SIC एपिट्याजिकल वेफरको प्रदर्शन र प्रदर्शन सुधार गर्दछ।

VeTek सेमीकन्डक्टर CVD TaC कोटिंग प्लानेटरी SiC एपिटेक्सियल ससेप्टर बनाउन सक्षम र राम्रो छ र ग्राहकहरूलाई उच्च अनुकूलित उत्पादनहरू प्रदान गर्न सक्छ। हामी तपाईको सोधपुछको लागि तत्पर छौं।

को भौतिक गुणहरूTantalum carberide कोटिंग 

VETEK SEMIMonductorage उत्पादन पसलहरु