उच्च-शुद्धता CVD SiC लेपित वेफर डुङ्गा

1. मुख्य कार्यसम्पादन कारकहरू?

• 7N स्तरमा शुद्धता:हामी एक 99.99999% (7N) शुद्धता मानक कायम राख्छौं। लामो ड्राइभ-इन वा अक्सिडेशन चरणहरूमा धातु प्रदूषकहरूलाई वेफरमा माइग्रेट गर्नबाट रोक्नको लागि यो गैर-वार्तालापयोग्य छ।
• CVD सिल (50-300μm):हामी सतहलाई "रंग" मात्र गर्दैनौं। हाम्रो 50–300μm CVD SiC लेयरले सब्सट्रेटमा कुल सिल बनाउँछ। यसले पोरोसिटीलाई हटाउँछ, अर्थात् डुङ्गाले रासायनिक पदार्थहरू फसाउँदैन वा प्रतिक्रियाशील ग्यासहरू वा आक्रामक SPM/DHF सफाईको बारम्बार एक्सपोजर पछि पनि कणहरू छोड्दैन।
• थर्मल कठोरता:सिलिकन कार्बाइडको प्राकृतिक कम थर्मल विस्तारले यी डुङ्गाहरूलाई सीधा राख्छ। तिनीहरू र्‍यापिड थर्मल एनिलिङ (आरटीए) को बखत ढल्कने वा ट्विस्ट गर्दैनन्, यो सुनिश्चित गर्दै कि रोबोट आर्मले सधैं जाम नगरी सही स्लटमा हिट गर्छ।
• दिगो उपज:सतह कम उपउत्पाद आसंजन को लागी ईन्जिनियर गरिएको छ। कम निर्माण हुनु भनेको तपाईंको वेफर्समा कम कणहरू हिर्काउनु र भिजेको बेन्च सफा गर्ने चक्रहरू बीच बढी दौडनु हो।
• अनुकूलन ज्यामिति:प्रत्येक fab को आफ्नै सेटअप छ। हामी यिनीहरूलाई तपाईंको विशिष्ट पिच र स्लट रेखाचित्रहरूमा मेसिन गर्छौं, चाहे तपाईं तेर्सो फर्नेस वा ठाडो 300mm स्वचालित लाइन चलाउँदै हुनुहुन्छ।

2. प्रक्रिया अनुकूलता

• वायुमण्डल:TMGa, AsH₃, र उच्च एकाग्रता O₂ वातावरणमा प्रतिरोधी।
• थर्मल दायरा:1400 डिग्री सेल्सियस सम्म स्थिर दीर्घकालीन सञ्चालन।
• सामग्री:तर्क, पावर, र एनालग वेफर्सको अक्सीकरण र प्रसार प्रक्रियाहरूको लागि विशेष रूपमा इन्जिनियर गरिएको।