VETEK CEIMIMDOCOCACACACACACACACACACACACACACARE एक लामो समयका लागि अर्ध मन्डरात्मक विकास उद्योगमा संलग्न छ र MCCVD एपिट्याजिकल वेफेक्टोर उत्पादनहरूमा धनी अनुभव र प्रक्रिया सीपहरू छन्। आज, VETEK CEIMITONDACE COLECED MOCVACACE EMCVEACAIL WEFAAZAIL WEFAACHILE वा आपूर्तिकर्ताले gan एपिट्याक्चरल वेफर र अन्य उत्पादनहरूको निर्माणमा महत्वपूर्ण भूमिका खेलेको छ।
Mocvd Epitaxial वेधर संसफर एक उच्च प्रदर्शन एपिट्याक्सियल वेगअपिक संसपायल वेइफेक्टल संसपाय संसपार्ता (मेटल-जैविक रासायनिक वासायनिक वातनवय ब्रश डिस्करण) उपकरण हो। सेक्लीन कार्बर्डको अनुशाराधिकार एसजीएल ग्रेफाइट सामग्रीबाट बनेको छ र अर्ध मंडजर्सको इरोजगार ग्यास प्रतिष्ठित र कठोर कार्यकारी ग्यासका लागि उपयुक्त छ।
एसजीएल ग्राफेट सामग्रीको उत्कृष्ट थर्मल संकुचित छ, जसले एपिटाजिकल वेफररको तापक्रम समान रूपमा विकास प्रक्रियाको क्रममा वितरण गर्दछ र एपिटाइजिकल तहको गुणस्तर सुधार गर्दछ। कोटिद सेक्चर अनुभवीले सशक्तलाई 1 1600 भन्दा बढीको उच्च तापमानको प्रतिरोध गर्न सक्षम गर्दछ र रिकभर्व प्रक्रियामा चरम थर्मल वातावरणमा अनुकूलन गर्दछ। थप रूपमा, SIC COIVELE ले प्रभावकारी रूपमा उच्च-तापमान प्रतिक्रियाको गेस र रासायनिक आक्रामणको प्रतिरोध गर्न सक्दछ, संशोधन कम गर्ने, र प्रदूषण घटाउन सक्छ।
Veetcesemi को MCCVD एपिटकेशियल वेफरक्साइयल वेफेक्शन एआईएसईसीभी उपकरण आपूर्तिकर्ताहरूको सामानहरूको लागि प्रयोग गर्न सकिन्छ।
● आकार: ग्राहक आवश्यक अनुसार अनुकूलित गर्न सकिन्छ (मानक आकार उपलब्ध)।
● क्षमता सम्बन्धी बोक्दै: धेरै वा धेरै भन्दा बढि EXPAXAILIACE Witegers एक समय मा use0 एपिटाअक्सिल वेफरहरू (SSSSTENGR आकारमा निर्भर गर्दै)।
● सतहको उपचार: SIC कोटिंग, कर्ब्रेस प्रतिरोध, अक्सिडियन प्रतिरोध।
यो एपिट्याजिकल वेफर बृद्धि उपकरणको एक महत्त्वपूर्ण सहयोगी हो
● CEIMEDonductuctore उद्योग: एपिटाइक्रिप्टियल वेफरको बृद्धिको लागि प्रयोग गरिएको, लेजर भिडज र शक्ति अर्धन्डन्डोरर्स।
● OptoeeTONTIONIONISTIONIONE उद्योग: उच्च-गुणवत्ताको अस्पष्टता विरोधी उपकरणहरूको एपिटाजिकल बृद्धि गर्दछ।
● उच्च-अन्त सामग्री अनुसन्धान र विकास: न्यू अर्ध मन्डी सामग्रीहरू र Opteee तुच्छ सामग्रीको ऑप्टेक्टोरियल तयारीको लागि प्रयोग गरियो।
ग्राहकको MCCVD उपकरण प्रकार र उत्पादन आवश्यकता अनुसार निर्भर गर्दै, VETEK SEMIMonducTER ले plotstoror आकार, सामग्री सतह, आदि सहित, सुनिश्चित गर्न को लागी अनुकूलित सेवाहरु प्रदान गर्दछ, सबै उपयुक्त समाधान प्रदान गरिएको छ कि।
CVD SIC फिल्म क्रिस्टल संरचना
CVD SIC कोटिंगको आधारभूत भौतिक गुणहरू
CVD SIC कोटिंगको आधारभूत भौतिक गुणहरू
सम्पति
विशिष्ट मान
क्रिस्टल संरचना
एफसीसी β चरण पोलीसीस्टलस्टल (111) उन्मुख
Sic कोटिंग घनत्व
2.21 g / cm³
SIC कोटिंग कडा
20000 वटा वारासरहरु कठोरता (500G लोड)
बोली
2 ~ 10mm
रासायनिक शुद्धता
999.99999995 %%
तटनी क्षमता
60400 · KG-1· K-1
Sublline तापमान
2 ℃00
लचिलो शक्ति
Man1 man MPA RT 4-पोइन्ट
युवाको मोड्युलस
4300 gpa 4tt बँदे 1 1300 ℃
थर्मल संकुचितता
300W-1· K-1
थर्मल विस्तार (cte)
5.5 × 10-6K-1
यो अर्ध मजदुर Mocvd Epitaxial वेधर संसर्श्ता पसलहरू
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
हामी तपाईंलाई राम्रो ब्राउजिङ अनुभव प्रदान गर्न, साइट ट्राफिक विश्लेषण र सामग्री निजीकृत गर्न कुकीहरू प्रयोग गर्छौं। यो साइट प्रयोग गरेर, तपाईं कुकीहरूको हाम्रो प्रयोगमा सहमत हुनुहुन्छ। गोपनीयता नीति