उद्योग समाचार

भौतिक भाप परिवहन (PVT) विधि प्रयोग गरेर SiC र AlN एकल क्रिस्टलको वृद्धिमा, क्रुसिबल, बीउ होल्डर, र गाईड रिङ जस्ता महत्त्वपूर्ण घटकहरूले महत्त्वपूर्ण भूमिका खेल्छन्। चित्र २ मा चित्रण गरिए अनुसार [१], PVT प्रक्रियाको क्रममा, बीज क्रिस्टललाई तल्लो तापक्रम क्षेत्रमा राखिएको हुन्छ, जबकि SiC कच्चा पदार्थ उच्च तापक्रम (2400 ℃ माथि) मा उजागर हुन्छ।

सिलिकन कार्डिडर सब्सट्रेटसँग धेरै त्रुटिहरू छन् र सिधा प्रशोधन गर्न सकिदैन। एक विशिष्ट एकल क्रिस्टल पातलो फिल्म तिनीहरूलाई चिप वाफर बनाउन एपिट्याजिकल प्रक्रिया मार्फत उब्जाउनको लागि आवश्यक छ। यो पातलो फिल्म एपिटाइक्टियल लेयर हो। लगभग सबै सिलिकन क्यारोबिड उपकरणहरू एपिटाइक्चरल सामग्रीमा महसुस गरिन्छ। उच्च-गुणवत्ता सिलिकन कार्ब्याइड सियोनिल एपिटाजिकल सामग्री सिलिकन कार्बड उपकरणहरूको विकासको लागि आधार हो। एपिटाइक्टियल सामग्रीको प्रदर्शन प्रत्यक्ष रूपमा सिलिकन कार्बड उपकरणहरूको प्रदर्शनको अनुक्रमणिका निर्धारण गर्दछ।

सिलिकन कार्थ्रेडले सेमीन्डुनिकल उद्योगलाई पावर र उच्च तापमान अनुप्रयोगहरूको लागि अनुच्छेद गर्दैछ, यसको व्यापक गुणहरूको साथ, एपिट्याक्सियल प्रत्यारोपणका लागि प्रलोभन कोटिंग्स को लागि।

उच्च शुद्धता: रासायनिक वाष्प निक्षेप (CVD) द्वारा बढेको सिलिकन एपिटेक्सियल तहमा परम्परागत वेफरहरू भन्दा धेरै उच्च शुद्धता, राम्रो सतह समतलता र कम दोष घनत्व हुन्छ।

ठोस सिलिकन कार्थ्रोइड (SIC) सेलिन्डोडौटाक्टर्चमेन्टको निर्माणमा मुख्य सामग्रीहरू मध्ये एक भएको छ जुन यसको अद्वितीय भौतिक गुणहरूको कारण हो। निम्नलिखित आफ्नो भौतिक गुणहरूमा आधारित यसको फाइदा र व्यावहारिक मूल्यको विश्लेषण हो र अर्धवान्डुनिक उपकरणहरूमा आधारित व्यावहारिक अनुप्रयोगहरू (जस्तै वेगर क्यारियरहरू, धडकनहरू, एचसी।)।