समाचार

द्रुत प्राविधिक विकास, थ्रीडी मुलुकमा, उन्नत उत्पादन टेक्नोलोजीको महत्त्वपूर्ण प्रतिनिधिको रूपमा परम्परागत निर्माणको अनुहार परिवर्तन हुँदैछ। उपस्थितिको निरन्तर परिपक्वता र लागत, 3 डी मुद्रण टेक्नोलोजी, मेडिकल उत्पादन, र वास्तुकलाको डिजाइनजस्ता क्षेत्रहरूमा विस्तृत अनुप्रयोगको प्रशोधन देखाइएको छ र यी उद्योगहरूको नवीनता र विकासलाई बढावा दिएको छ।

एकल क्रिस्टल सामग्रीले मात्र विभिन्न अर्धचालक उपकरणहरूको बढ्दो उत्पादनको आवश्यकताहरू पूरा गर्न सक्दैन। 1959 को अन्त्यमा, एकल क्रिस्टल सामग्री वृद्धि प्रविधिको पातलो तह - epitaxial वृद्धि विकसित भएको थियो।

सिलिकन कार्थरोइड उच्च-तापमान, उच्च-फ्रिक्वेन्सी, उच्च-शक्ति र उच्च भोल्टेज उपकरणहरू बनाउनेको लागि एक आदर्श सामग्री हो। उत्पादन दक्षता सुधार गर्न र लागत कम गर्न, ठूलो आकारको सिलिकन कार्यसक्त सब्स्रेटहरूको तयारी एक महत्त्वपूर्ण विकास दिशा हो।

विदेशका समाचार, दुई स्रोतहरू जुन 2 24 मा सम्भिएका अमेरिकी चिप गरिएको डिजाइन कम्पनी विभागले एक उन्नत कृत्रिम बुद्धिमत्ता (ऐ) प्रोसेसिंगको विकास गर्न सहयोग पुर्याउँछ) जसले ब्रद्धि गर्न मद्दत गर्दछ चीन बीचको तनावको लागि पर्याप्त आपूर्ति सुनिश्चित गर्दछ र संयुक्त राज्य अमेरिका।

SiC उद्योगमा एक अग्रणी निर्माताको रूपमा, Sanan Optoelectronics' सम्बन्धित गतिशीलताले उद्योगमा व्यापक ध्यान प्राप्त गरेको छ। हालै, Sanan Optoelectronics ले 8 इन्चको रूपान्तरण, नयाँ सब्सट्रेट कारखाना उत्पादन, नयाँ कम्पनीहरूको स्थापना, सरकारी अनुदान र अन्य पक्षहरू समावेश गरी नवीनतम घटनाक्रमहरूको एक श्रृंखला खुलासा गरेको छ।

भौतिक भाप परिवहन (PVT) विधि प्रयोग गरेर SiC र AlN एकल क्रिस्टलको वृद्धिमा, क्रुसिबल, बीउ होल्डर, र गाईड रिङ जस्ता महत्त्वपूर्ण घटकहरूले महत्त्वपूर्ण भूमिका खेल्छन्। चित्र २ मा चित्रण गरिए अनुसार [१], PVT प्रक्रियाको क्रममा, बीज क्रिस्टललाई तल्लो तापक्रम क्षेत्रमा राखिएको हुन्छ, जबकि SiC कच्चा पदार्थ उच्च तापक्रम (2400 ℃ माथि) मा उजागर हुन्छ।