CVD SiC कोटिंग नोजल

PETEK COMIMDUCOCOCOCORECE CVD SIC COCTOUNT भागहरू र यसको गेमडी आकार अनुभरी जस्ता CVD SIC कोटिंग सामानहरूको विशेष निर्मित वस्तु हो।

PE1O8 ह्यान्डल गर्न डिजाइन गरिएको कारतूस प्रणालीमा पूर्ण स्वचालित कारतूस होSiC वेफर्स200mm सम्म। ढाँचा 150 र 200 मिमी बीच स्विच गर्न सकिन्छ, उपकरण डाउनटाइम न्यूनतम। तताउने चरणहरूको कमीले उत्पादकता बढाउँछ, जबकि स्वचालनले श्रम घटाउँछ र गुणस्तर र पुनरावृत्तिमा सुधार गर्दछ। एक कुशल र लागत-प्रतिस्पर्धी एपिटेक्सी प्रक्रिया सुनिश्चित गर्न, तीन मुख्य कारकहरू रिपोर्ट गरिएका छन्: 

● छिटो प्रक्रिया;

● मोटाई र डोपिङको उच्च एकरूपता;

● एपिटाक्सी प्रक्रियाको समयमा दोष निर्माणको न्यूनीकरण। 

PES1O8 मा, सानो ग्राफेटेड मास र स्वचालित लोड / अनलोड प्रणालीले एक मानक रन (मानक 10 एम एम एम टुडस्की डाइयोड गठन गर्दछ)। स्वचालित प्रणालीले लोड हुँदै उच्च तापमान मा अनलोड गर्न अनुमति दिन्छ। नतिजा स्वरूप, तताउने र चिसो समय छोटो छ, जबकि बेकिंग चरण निषेध गरिएको छ। यो आदर्श अवस्थाले साँचो अन्डुइड गरिएको सामग्रीको बृद्धिलाई अनुमति दिन्छ।

सिलिकन कार्बाइड एपिटेक्सीको प्रक्रियामा, CVD SiC कोटिंग नोजलहरूले एपिटेक्सियल तहहरूको वृद्धि र गुणस्तरमा महत्त्वपूर्ण भूमिका खेल्छन्। यहाँ नोजल को भूमिका को विस्तारित व्याख्या छसिलिकन कार्बाइड एपिटेक्सी:

● ग्यास आपूर्ति र नियन्त्रण: Conashles Panicony को समयमा आवश्यक ग्यास मिश्रण वितरित गर्न प्रयोग गरिन्छ, सिलिकन स्रोत ग्यास र कार्बन स्रोत ग्यास सहित। नोजलहरू मार्फत, ग्यास प्रवाह र अनुपात निश्चित रूपमा एपिटाइकेसियल लेयरको वर्दी विकास र इच्छित रासायनिक संरचना सुनिश्चित गर्न सकिन्छ।

● तापमान नियन्त्रण: नोजलहरूले एपिटेक्सी रिएक्टर भित्रको तापक्रम नियन्त्रण गर्न पनि मद्दत गर्दछ। सिलिकन कार्बाइड एपिटेक्सीमा, तापमान वृद्धि दर र क्रिस्टल गुणस्तरलाई असर गर्ने एक महत्वपूर्ण कारक हो। नोजलहरू मार्फत तातो वा शीतलन ग्याँस प्रदान गरेर, एपिटेक्सियल तहको वृद्धि तापमान इष्टतम वृद्धि अवस्थाहरूको लागि समायोजित गर्न सकिन्छ।

● ग्यास प्रवाह वितरण: नोजेलको डिजाइनले रिभर्स भित्र ग्यासको समान वितरणलाई प्रभाव पार्छ। एकरूप ग्यास प्रवाह प्रवाह डिट्रिजले एपिटाइक्रिपदली तह र निरन्तर मोटलताको एकरूपता सुनिश्चित गर्दछ, भौतिक गुणवत्ता गैर-एकरूपता सम्बन्धित मुद्दाहरूलाई वेवास्ता गर्दै।

● अशुद्धता प्रदूषण को रोकथाम: उचित डिजाइन र नोजलहरूको प्रयोगले एपिटेक्सी प्रक्रियाको क्रममा अशुद्धता प्रदूषण रोक्न मद्दत गर्न सक्छ। उपयुक्त नोजल डिजाइनले बाह्य अशुद्धताहरू रिएक्टरमा प्रवेश गर्ने सम्भावनालाई कम गर्छ, एपिटेक्सियल तहको शुद्धता र गुणस्तर सुनिश्चित गर्दछ।

CVD SIC कोटिंग फिल्म क्रिस्टल संरचना:

CVD SiC कोटिंगको आधारभूत भौतिक गुणहरू: