SiC क्रिस्टल विकासको लागि उच्च शुद्धता SiC पाउडर

1. मुख्य विशेषताहरू

· उच्च शुद्धता स्तर:शुद्धता क्षमताहरू 99.9999% (6N ग्रेड) सम्म पुग्छन्।

· अति कम धातु अशुद्धता:न्यूनतम ट्रेस धातु प्रदूषण SiC क्रिस्टल वृद्धिको लागि अनुकूलित।

· पूर्ण पारदर्शिता:पूर्ण GDMS (ग्लो डिस्चार्ज मास स्पेक्ट्रोमेट्री) परीक्षण डेटा प्रत्येक ब्याचको लागि उपलब्ध छ।

· स्थिर थर्मल प्रदर्शन:PVT वृद्धि रन को समयमा उच्च अनुमानित र एकसमान उदात्तता व्यवहार।

· नियन्त्रित कण आकार वितरण:लगातार प्याकिंग घनत्व कायम राख्न ग्रेनुलोमेट्री सावधानीपूर्वक अनुगमन गरियो।

· अनुकूलित सूत्रहरू:अनुकूलन कण आकार र वितरण वक्र अनुरोध मा उपलब्ध छ।

· अर्धचालक गुणस्तर मानक:सेमीकन्डक्टर-ग्रेड गुणस्तर व्यवस्थापन प्रणाली अन्तर्गत सख्त रूपमा निर्मित।

2. उत्पादन दृश्यहरू

3. प्राविधिक निर्दिष्टीकरणहरू

4. अनुप्रयोगहरू

PVT SiC क्रिस्टल ग्रोथ:प्रवाहकीय र अर्ध-इन्सुलेट SiC इन्गट्स।

· अर्धचालक सब्सट्रेट:वेफर सब्सट्रेट र एपिटेक्सियल प्रशोधन कच्चा माल।

· उच्च-अन्त थर्मल अवयवहरू:उन्नत सिरेमिक कम्पोनेन्टहरू र ससेप्टर कोटिंग्स।

· अनुसन्धान र विकास अनुप्रयोगहरू:अर्को पुस्ताको पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुसन्धान र उच्च आवृत्ति उपकरणहरू।

5. किन VeTek अर्धचालक छान्नुहोस्?

· स्वामित्व शुद्धीकरण:एकल-क्रिस्टल वृद्धिको लागि 6N शुद्धतासम्म प्रदान गर्ने उन्नत शुद्धिकरण प्रविधिहरू।

· सख्त गुणस्तर नियन्त्रण:कडा सेमीकन्डक्टर-ग्रेड प्रदूषण नियन्त्रणको साथ समर्पित गुणस्तर आश्वासन।

अनुकूलन लचिलोपन:विभिन्न PVT फर्नेस क्रुसिबल विशिष्टताहरू फिट गर्न लचिलो अनुकूलन कण आकार।

· स्थिर आपूर्ति श्रृंखला:विश्वसनीय आपूर्ति क्षमता स्थिर दीर्घकालीन ठूलो उत्पादन वितरण ग्यारेन्टी।

प्राविधिक विशेषज्ञता:तपाइँको विशिष्ट क्रिस्टल वृद्धि प्रक्रियाहरु अनुरूप पूरा प्राविधिक समर्थन।