Mocvd scic कोटिंग्स परिप्रेशर्ता

VeTek सेमीकन्डक्टर MOCVD SiC कोटिंग ससेप्टर उच्च गुणस्तरको बनेको छGrafite, जुन यसको थर्मल स्थिरता र उत्कृष्ट थर्मल संकुचित (लगभग 120-1500 डब्ल्यू / M · · करीव 120-1500 डलर) को लागि चयन गरिएको हो। ग्राफ्र्याइटको स्वाभाविक गुणहरूले यसलाई भित्र कठोर सामग्रीको सामना गर्न एक आदर्श सामग्री बनाउँदछMOCVD रिएक्टरहरू। यसको प्रदर्शन सुधार गर्न र यसको सेवा जीवन विस्तार गर्न, ग्रेफाइट ससेप्टरलाई सिलिकन कार्बाइड (SiC) को तहले सावधानीपूर्वक लेपित गरिएको छ।

Mocvd sic कोटिंग टेक्स्टेक्टोर प्रयोग कुञ्जी घटक होरासायनिक वाष्प जम्मा (CVD)रधातु जैविक रासायनिक बाफ डिमिशन (MOCVD) प्रक्रियाहरू। यसको मुख्य प्रकार्य सिलिकन वा सिलिकन कार्बइड (SIC) wefeers (SIC) WEFERS लाई बढाउनुहोस् र उच्च तापक्रम वातावरणमा एक समान ग्यास जम्मा गर्दछ। यो अर्ध'क प्रशोधनमा एक अपरिहार्य उत्पादन हो।

अर्धचालक प्रशोधन मा MOCVD SiC कोटिंग ससेप्टर को आवेदन:

वेफर समर्थन र तताउने:

Mocvd sic कोडि charghor भजन मात्र एक शक्तिशाली समर्थन प्रकार्य छैन, तर प्रभावकारी रूपमा तातो गर्न सक्छवेर्मसमान रूपमा रासायनिक वाष्प जम्मा प्रक्रिया को स्थिरता सुनिश्चित गर्न। डिपोजिसन प्रक्रियाको बखत, SiC कोटिंगको उच्च थर्मल चालकताले स्थानीय ओभरहेटिंग वा अपर्याप्त तापक्रमबाट बच्न, वेफरको प्रत्येक क्षेत्रमा द्रुत रूपमा तातो उर्जा स्थानान्तरण गर्न सक्छ, जसले गर्दा रासायनिक ग्यास वेफर सतहमा समान रूपमा जम्मा गर्न सकिन्छ। यो एकसमान तताउने र डिपोजिसन प्रभावले वेफर प्रशोधनको स्थिरतामा धेरै सुधार गर्दछ, प्रत्येक वेफरको सतहको फिल्म मोटाई बनाउँदछ र दोष दर घटाउँदछ, अर्धचालक उपकरणहरूको उत्पादन उपज र प्रदर्शन विश्वसनीयतामा थप सुधार गर्दछ।

ऑपिटक्स वृद्धि:

माMocvd प्रक्रिया, SiC लेपित वाहकहरू epitaxy वृद्धि प्रक्रियामा प्रमुख घटक हुन्। तिनीहरू विशेष गरी सिलिकन र सिलिकन कार्बाइड वेफरहरूलाई समर्थन र तताउन प्रयोग गरिन्छ, रासायनिक वाष्प चरणमा सामग्रीहरू वेफर सतहमा समान रूपमा र सही रूपमा जम्मा गर्न सकिन्छ, जसले गर्दा उच्च-गुणस्तर, दोष-रहित पातलो फिल्म संरचनाहरू बनाउँदछ। SiC कोटिंग्स उच्च तापमानमा प्रतिरोधी मात्र होइन, तर जटिल प्रक्रिया वातावरणमा दूषित र जंगबाट बच्न रासायनिक स्थिरता पनि कायम राख्छ। तसर्थ, SiC लेपित वाहकहरूले SiC पावर उपकरणहरू (जस्तै SiC MOSFETs र डायोडहरू), LEDs (विशेष गरी नीलो र पराबैंगनी LEDs), र फोटोभोल्टिक सौर्य कोशिकाहरू जस्ता उच्च-परिशुद्धता सेमीकन्डक्टर उपकरणहरूको एपिटेक्सी वृद्धि प्रक्रियामा महत्त्वपूर्ण भूमिका खेल्छन्।

ग्यालियम नाइट्राइड (GaN)र ग्यालियम आर्सेनाइड (GaAs) एपिटेक्सी:

SIC लेपित क्यारियरहरू जीओ र गेस इपिटाअ्याटाइक्रिप्ट तहहरूको बृद्धिका लागि एक अपरिहार्य विकल्प हो जुन उनीहरूको उत्कृष्ट थेराटाइक्रिप्टल तह र कम थर्मल विस्तार गुणा छ। उनीहरूको कुशल थर्मल संकुचितताले एपिटासियल बृद्धिको क्रममा तन्त्रमन्त्र वितरण गर्न सक्दछ, जुन तर्जुमा गरिएको सामग्रीको प्रत्येक परतले एक नियन्त्रणित तापमानमा बढ्न सक्छ। उहि समयमा, SIC को कम थर्मल विस्तारले अत्यन्त तापमान परिवर्तनहरू अन्तर्गत आयामको रूपमा स्थिर रहन मद्दत गर्दछ, प्रभावकारी रूपमा वेधर विकृतिको जोखिम कम गर्दछ, जसले गर्दा एपिट्याजिकल लेयरको स्थिरता र स्थिरता सुनिश्चित गर्दछ। यो सुविधाले SIC-कोटेड क्यारियरहरूलाई उच्च-फ्रिजेशन, उच्च-पावर इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरू (जस्तै gan हेन्ड्रोनिक उपकरणहरू) र अप्टिकल संचार उपकरणहरू र opteeaticatic उपकरणहरू) (जस्तै GAS-आधारित Leesrss र Depterstic उपकरणहरू)।

VeTek अर्धचालकMOCVD SiC कोटिंग ससेप्टर पसलहरू: