ईचिंगको लागि SIC लेपित वेतन वाहक

एच अप प्रक्रियाको लागि SIC कोटेड वेन वेयर वारियरको प्रयोग

1 gan फिल्म विकास र नेतृत्वमा एचीपेटिंग

SIC लेट क्यारियर (जस्तै PSS ECTING क्यारियर) लेपना उत्पादन (ढाँचायुक्त साफेफयर सब्सट्रेट्स (MANVIP DASPATE (MANVDE (GANVD DATER (GANVD) को लागी उच्च तापमान वाहकलाई त्यसपछि एक भिजेको ईछा प्रक्रिया द्वारा हटाइन्छ कि सतह निकाय दक्षता सुधार गर्न एक भित्ता माइक्रोस्ट्रेसर गठन गर्न।

मुख्य भूमिका: वेफर क्यारियरले 10000 डिग्री सेल्सियस र रासायनिक जमिन वातावरणमा तापमानको सामना गर्नुपर्नेछ। उच्च शुद्धता (99999999 9595%) र SIC कोटिंगको घनत्वले धातु प्रदूषण रोक्छ र गोना फिल्मको एकरूपता सुनिश्चित गर्दछ।

2 अर्ध मन्टोक्टर प्लाज्मा / सुख्खा एन्टिंग प्रक्रिया

भित्रICP (विक्रेता व्यवहार गरिएको प्लाज्मा) ecching, अनुकूलित एयरफ्लो डिजाइनको माध्यमबाट SIC लेपित क्यारियरहरूले समान तातो वितरण प्राप्त गर्दछ (जस्तै लामिनेर प्रवाह मोड), र अशुद्धता फैलिनु। उदाहरण को लागी, VETEKSIMIMAN को SIC लेड आईसीपी एन्टिंग क्यारियरले 20000 डिग्री सेल्सियसको सब अचलता तापमानको सामना गर्न सक्दछ र उच्च ऊर्जा प्लाज्मा वातावरणको लागि उपयुक्त छ।

। सौर्य कोशिका र पावर उपकरण निर्माण

SIC Carriers उच्च-तापमान प्रसारण र फोटोविटल क्षेत्र मा सिलिकन वेफरको ecching मा राम्रो प्रदर्शन। उनीहरूको कम थर्मल विस्तार गुणांक (45.5 × 10 × 10 / k) ले थर्मल तनावले गर्दा उत्पन्न र सेवा जीवन विस्तार गर्दछ।

ईन्चिंगको लागि सीआईसी कोटेड वेरेफर क्यारियरका भौतिक गुणहरू र सुविधाहरू

1 चरम वातावरणमा सहिष्णुता:

उच्च तापमान स्थिरता:CVD SIC कोटिंग1 1600 डिग्री सेल्सियस एयर वा 2200 डिग्री सेल्सियसको लागि काम गर्न सक्दछ लामो समयको लागि, जुन परम्परागत क्वार्टज वा ग्रेफाइट क्यारियर भन्दा उच्च छ।

प्रतिरोधादारी प्रतिरोध: एसिड, क्षारीस, नुन, नुन र जैविक स respents ्क्रमणको लागि sice प्रतिरोध प्रतिरोध प्रतिरोध छ, र SEIMDonductor उत्पादन लाइनहरु को लागी बारम्बार रासायनिक सफाई को लागी उपयुक्त छ।

2 थर्मल र मेकानिकल गुणहरू:

उच्च थर्मल संकुचित (300 W / MK): द्रुत तातो असन्तुष्टिले थर्मल ग्राउटेन्टलाई कम गर्दछ, कम टेक्लो तापमान एकता सुनिश्चित गर्दछ, र फिल्म मोटोपन विचलनबाट जोगिन्छ।

उच्च यांत्रिक शक्ति: फ्लेक्सल शक्ति 4115 MPA (कोठाको तापक्रम) मा पुग्छ, र यो अझै पनि उच्च तापमानमा, क्यारियर क्र्याकिंग वा बर्बादलाई वेवास्ता गर्दछ।

सतह समाप्त: SSIC (दबाव मानकीय सिलिकन कार्बर्ड) कम सतह कतै (<0. 0. 0.0. 0.0.0.0.ferem उपज सुधार गर्दछ।

। भौतिक मिलान अप्टिमाइजेशन:

ग्राफिटी सब्सट्रेट र साइज कोटिंगको बीचमा कम थर्म्यल विस्तार अंश: कोटिंग प्रक्रिया (जस्तै ग्रेडियन्टल जम्मा) समायोजन गरिएको छ र कोटिंगको तनाव कम हुन्छ।

उच्च शुद्धता र कम दोषहरू: CVD प्रक्रियाले कोटिंग शुद्धता> 99999999 %%, संवेदनशील प्रक्रियाहरूको मेटल आरामक दूषितकरणलाई वेवास्ता गर्दै (जस्तै SIC पावर उत्पादन निर्माण)।

त्यसबेलाCVD SIC को कोटिंगको सीआरडी भौतिक गुणहरू

CVD SIC कोटिंग फिल्म क्रिस्टल संरचना

VET लिंगमिकन पसलहरू