समाचार

सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेटहरूको औद्योगिक-स्केल उत्पादनको लागि, एकल वृद्धि रनको सफलता अन्तिम लक्ष्य होइन। वास्तविक चुनौती भनेको विभिन्न ब्याचहरू, उपकरणहरू र समय अवधिहरूमा बढेको क्रिस्टलहरूले गुणस्तरमा उच्च स्तरको स्थिरता र दोहोरिने योग्यता कायम राख्नु हो। यस सन्दर्भमा, ट्यान्टालम कार्बाइड (TaC) कोटिंगको भूमिका आधारभूत सुरक्षाभन्दा बाहिर जान्छ - यो प्रक्रिया सञ्झ्याललाई स्थिर गर्न र उत्पादनको उपजको सुरक्षामा एक प्रमुख कारक बन्छ।

सिलिकन कार्बाइड (SiC) PVT वृद्धिले गम्भीर थर्मल साइकल चलाउँछ (कोठाको तापमान 2200 ℃ माथि)। कोटिंग र ग्रेफाइट सब्सट्रेटको बीचमा उत्पन्न हुने ठूलो थर्मल तनाव थर्मल एक्सपेन्सन (CTE) को गुणांकमा बेमेलको कारणले कोटिंगको जीवनकाल र अनुप्रयोगको विश्वसनीयता निर्धारण गर्ने मुख्य चुनौती हो।

सिलिकन कार्बाइड (SiC) PVT क्रिस्टल वृद्धि प्रक्रियामा, थर्मल क्षेत्रको स्थिरता र एकरूपताले क्रिस्टल वृद्धि दर, दोष घनत्व, र सामग्री एकरूपतालाई प्रत्यक्ष रूपमा निर्धारण गर्दछ। प्रणाली सीमाको रूपमा, थर्मल-फिल्ड कम्पोनेन्टहरूले सतह थर्मोफिजिकल गुणहरू प्रदर्शन गर्दछ जसको थोरै उतार-चढ़ावहरू उच्च-तापमान परिस्थितिहरूमा नाटकीय रूपमा विस्तारित हुन्छन्, अन्ततः वृद्धि इन्टरफेसमा अस्थिरता निम्त्याउँछ।