समाचार

सिलिकन कार्बाइड (SiC) को मुख्य वृद्धि विधिहरूमा PVT, TSSG, र HTCVD, प्रत्येक फरक फाइदा र चुनौतीहरू समावेश छन्। कार्बन-आधारित थर्मल क्षेत्र सामग्री जस्तै इन्सुलेशन प्रणाली, क्रुसिबल, TaC कोटिंग्स, र छिद्रपूर्ण ग्रेफाइटले स्थिरता, थर्मल चालकता, र शुद्धता प्रदान गरेर क्रिस्टल वृद्धि बढाउँछ, SiC को सटीक निर्माण र अनुप्रयोगको लागि आवश्यक छ।

SiC मा उच्च कठोरता, थर्मल चालकता, र जंग प्रतिरोध छ, यसलाई अर्धचालक निर्माणको लागि आदर्श बनाउँछ। CVD SiC कोटिंग रासायनिक वाष्प निक्षेप मार्फत सिर्जना गरिएको छ, उच्च थर्मल चालकता, रासायनिक स्थिरता, र एपिटेक्सियल वृद्धिको लागि मिल्दो जाली स्थिरता प्रदान गर्दछ। यसको कम थर्मल विस्तार र उच्च कठोरताले स्थायित्व र सटीकता सुनिश्चित गर्दछ, यसलाई वेफर क्यारियरहरू, प्रिहिटिंग रिंगहरू, र थप जस्ता अनुप्रयोगहरूमा आवश्यक बनाउँदछ। VeTek सेमीकन्डक्टरले विभिन्न उद्योग आवश्यकताहरूको लागि अनुकूलन SiC कोटिंग्समा माहिर छ।

सिलिकन कार्बइड (SIC) उच्च तापमान प्रतिरोध, प्रतिरोध प्रतिरोध, र उच्च यांत्रिक बल जस्ता उत्कृष्ट गुणहरूको लागि ज्ञात शैलीगत अर्ध चुट्रव्य सामग्री हो। यसमा 200 भन्दा बढी क्रिस्टल संरचनाहरू मात्र एकमात्र घन प्रकारले, अन्य प्रकारहरूको तुलनामा उच्च प्राकृतिक थारनीतीता र प्रत्याभूति प्रदान गर्दछ। CC-SIC यसको उच्च इलेक्ट्रोन गतिशीलता को लागी बाहिर उभिन्छ, यो शक्ति इलेक्ट्रोनिक्समा मस्फुलीहरूको लागि उपयुक्त बनाउँदछ। थप रूपमा, यसले नानोलेक्ट्रोनिक्स, निलो ल्याण्डर्स, र सेन्सरहरूमा ठूलो सम्भावना देखाउँदछ।

डायमण्ड, एक सम्भावित चौथो पुस्ताको "अन्तिम अर्धचालक," यसको असाधारण कठोरता, थर्मल चालकता, र विद्युतीय गुणहरूको कारणले अर्धचालक सब्सट्रेटहरूमा ध्यान पाइरहेको छ। जबकि यसको उच्च लागत र उत्पादन चुनौतीहरूले यसको प्रयोगलाई सीमित गर्दछ, CVD रुचाइएको विधि हो। डोपिङ र ठूलो-क्षेत्र क्रिस्टल चुनौतीहरूको बावजुद, हीराले वाचा राख्छ।