समाचार

सेमीकन्डक्टर निर्माणमा इचिङ टेक्नोलोजीले अक्सर लोडिङ इफेक्ट, माइक्रो-ग्रुभ इफेक्ट र चार्जिङ इफेक्ट जस्ता समस्याहरूको सामना गर्छ, जसले उत्पादनको गुणस्तरलाई असर गर्छ। सुधार समाधानहरूमा प्लाज्मा घनत्व अनुकूलन, प्रतिक्रिया ग्याँस संरचना समायोजन, भ्याकुम प्रणाली दक्षता सुधार, उचित लिथोग्राफी लेआउट डिजाइन, र उपयुक्त नक्काशी मास्क सामग्री र प्रक्रिया अवस्थाहरू चयन समावेश छ।

तातो प्रेसिंग पास्टर भनेको उच्च-प्रदर्शन साइज साइराइक्स तयार गर्न मुख्य विधि हो। तातो प्रेसिंग लिफ्टिंगको प्रक्रिया समावेश छ: उच्च प्रतियोगिता अनुभरी र उच्च दबावमा चकित र मोल्ड गर्ने र त्यसपछि पाप गर्दै। यस विधिबाट तयार गरिएको S पवित्र उच्च शुद्धता र उच्च घनत्वको फाइदा छ, र वेधर प्रशोधनका लागि पीसिरहेका डिस्प्ने र तातो उपचार उपकरणमा प्रयोग गरिन्छ।

सिलिकन कार्बाइड (SiC) को मुख्य वृद्धि विधिहरूमा PVT, TSSG, र HTCVD, प्रत्येक फरक फाइदा र चुनौतीहरू समावेश छन्। कार्बन-आधारित थर्मल क्षेत्र सामग्री जस्तै इन्सुलेशन प्रणाली, क्रुसिबल, TaC कोटिंग्स, र छिद्रपूर्ण ग्रेफाइटले स्थिरता, थर्मल चालकता, र शुद्धता प्रदान गरेर क्रिस्टल वृद्धि बढाउँछ, SiC को सटीक निर्माण र अनुप्रयोगको लागि आवश्यक छ।

SiC मा उच्च कठोरता, थर्मल चालकता, र जंग प्रतिरोध छ, यसलाई अर्धचालक निर्माणको लागि आदर्श बनाउँछ। CVD SiC कोटिंग रासायनिक वाष्प निक्षेप मार्फत सिर्जना गरिएको छ, उच्च थर्मल चालकता, रासायनिक स्थिरता, र एपिटेक्सियल वृद्धिको लागि मिल्दो जाली स्थिरता प्रदान गर्दछ। यसको कम थर्मल विस्तार र उच्च कठोरताले स्थायित्व र सटीकता सुनिश्चित गर्दछ, यसलाई वेफर क्यारियरहरू, प्रिहिटिंग रिंगहरू, र थप जस्ता अनुप्रयोगहरूमा आवश्यक बनाउँदछ। VeTek सेमीकन्डक्टरले विभिन्न उद्योग आवश्यकताहरूको लागि अनुकूलन SiC कोटिंग्समा माहिर छ।

सिलिकन कार्बइड (SIC) उच्च तापमान प्रतिरोध, प्रतिरोध प्रतिरोध, र उच्च यांत्रिक बल जस्ता उत्कृष्ट गुणहरूको लागि ज्ञात शैलीगत अर्ध चुट्रव्य सामग्री हो। यसमा 200 भन्दा बढी क्रिस्टल संरचनाहरू मात्र एकमात्र घन प्रकारले, अन्य प्रकारहरूको तुलनामा उच्च प्राकृतिक थारनीतीता र प्रत्याभूति प्रदान गर्दछ। CC-SIC यसको उच्च इलेक्ट्रोन गतिशीलता को लागी बाहिर उभिन्छ, यो शक्ति इलेक्ट्रोनिक्समा मस्फुलीहरूको लागि उपयुक्त बनाउँदछ। थप रूपमा, यसले नानोलेक्ट्रोनिक्स, निलो ल्याण्डर्स, र सेन्सरहरूमा ठूलो सम्भावना देखाउँदछ।

डायमण्ड, एक सम्भावित चौथो पुस्ताको "अन्तिम अर्धचालक," यसको असाधारण कठोरता, थर्मल चालकता, र विद्युतीय गुणहरूको कारणले अर्धचालक सब्सट्रेटहरूमा ध्यान पाइरहेको छ। जबकि यसको उच्च लागत र उत्पादन चुनौतीहरूले यसको प्रयोगलाई सीमित गर्दछ, CVD रुचाइएको विधि हो। डोपिङ र ठूलो-क्षेत्र क्रिस्टल चुनौतीहरूको बावजुद, हीराले वाचा राख्छ।