समाचार

SiC एकल क्रिस्टल वृद्धिको आवेदन परिप्रेक्ष्यबाट, यस लेखले TaC कोटिंग र SIC कोटिंगको आधारभूत भौतिक मापदण्डहरू तुलना गर्दछ, र उच्च तापमान प्रतिरोध, बलियो रासायनिक स्थिरता, कम अशुद्धता, र सर्तहरूमा SiC कोटिंगमा TaC कोटिंगको आधारभूत फाइदाहरू वर्णन गर्दछ। कम लागत।

फेब कारखानामा धेरै प्रकार मापन उपकरणहरू छन्। साझा उपकरणमा लिथोग्राफी प्रक्रिया मापन उपकरण, इन्ट प्रक्रिया मापन उपकरण, पातलो फिल्म डिप्रेशन प्रक्रिया मापन उपकरण, cmp प्रक्रिया मापन उपकरण, वेम कणको मापन उपकरण, वेम कणको मापन उपकरण र अन्य मापदण्ड उपकरण।

Tantalum carberide (TAC) कोटिंगले उच्च तापमान प्रतिरोध, संयन्त्र प्रतिरोध, मेकानिकल सम्पत्ती क्षमताहरू र थर्मल सम्पत्ती क्षमताहरू सुधार गरेर उल्लेख गर्न सक्दछ। यसको उच्च शुद्धता विशेषताहरू अशुद्धता प्रदूषण कम, क्रिस्टल वृद्धि गुणस्तर सुधार गर्दछ, र ऊर्जा दक्षता बढाउँदछ। यो सेमीन्डौटाईक्टर निर्माणको लागि उपयुक्त छ र उच्च-तापमानमा उच्च-तापमान अनुप्रयोगहरूको लागि उपयुक्त छ, अत्यधिक मेहनती वातावरणमा।

Tantalum carberide (TAC) कोटिंग अर्धन्डुनिक क्षेत्र मा व्यापक रूपमा प्रयोग गरीएको छ, मुख्यतया एपिटाइक्चरल बृद्धित्मक कम्पोनेर्स, उप-तापमान crication, MUCVD Cressial contries, MUCVD प्रणाली को प्रतिरोध, Mucvder craprice Crarrians repters, usl-proplar cricational contries।

SiC epitaxial वृद्धि प्रक्रिया को समयमा, SiC लेपित ग्रेफाइट निलम्बन विफलता हुन सक्छ। यस पेपरले SiC लेपित ग्रेफाइट निलम्बन को विफलता घटना को एक कठोर विश्लेषण सञ्चालन गर्दछ, जसमा मुख्य रूप देखि दुई कारक शामिल छ: SiC epitaxial ग्यास विफलता र SiC कोटिंग विफलता।

यो लेख मुख्यतया सम्बन्धित प्रक्रिया लाभ र आणविक बीम Epitaxy प्रक्रिया र धातु-जैविक रासायनिक वाष्प निक्षेप टेक्नोलोजीहरूको भिन्नताहरू छलफल गर्दछ।