समाचार

लेखले एकल-क्रिस्टल भट्टीमा तापमान ढाँचाको वर्णन गर्दछ। यसले क्रिस्टल बृद्धिमा स्थिर र गतिशील तृष्करण क्षेत्रहरू समेट्छ, ठोस-तरल ईन्टरफेस, र ठोस ढाँचामा ढाँचाको भूमिका।

ट्याकोको प्रक्रिया थ्रेसलाई मिसिनेसनले यसको सिद्धान्तहरू, प्राविधिक फाइदाहरू प्रयोग गरेर प्रयोग गर्दछ। प्राविधिक फाइदाहरू।

--इन्च एस एस एयर एपिट्याजिकल भट्टी र होरोइटाटाटाक्टिल प्रक्रिया अनुसन्धान

लेखले सिलिकन, GaAs, SiC र GaN जस्ता अर्धचालक सब्सट्रेट वेफरहरूको भौतिक गुणहरूको विश्लेषण गर्दछ।

यस लेखमा Gan-आधारित सामग्री, 3 को क्रिस्टल टेक्नोलोजी आवश्यकताहरू सहित gan-आधारित कम-तापमान सैन्य टेक्नोलोजी, र कम सेन्टेक्साइयल टेक्नोलोजीको फाइदाहरू, कम सेन्टेक्सायर टेक्नोलोजीको फाइदा।

यो लेखले क्लियनको आणविक संरचना र भौतिक गुणहरू प्रस्तुत गर्दछ, र मापदण्ड टन्टलम वायरसाइड र CVD टन्टलमको भिन्नता र अनुप्रयोगहरूमा ध्यान केन्द्रित गर्दछ, साथै Veetc अर्धोन्डरकको लोकप्रिय Taac को रूप मा।