SiC कोटिंग ग्रेफाइट MOCVD हीटर

MOCVD एक सटीक पातलो फिल्म वृद्धि प्रविधि हो जुन व्यापक रूपमा सेमीकन्डक्टर, अप्टोइलेक्ट्रोनिक र माइक्रोइलेक्ट्रोनिक उपकरण निर्माणमा प्रयोग गरिन्छ। MOCVD टेक्नोलोजी मार्फत, उच्च गुणस्तरको अर्धचालक सामग्री फिल्महरू सब्सट्रेटहरूमा जम्मा गर्न सकिन्छ (जस्तै सिलिकन, नीलमणि, सिलिकन कार्बाइड, आदि)।

Mocvd उपकरणमा, उच्च-तापमान सहयोगीको सम्बन्धमा उच्च तृष्णाको तुलनामा सम्भावित तनावग्रस्त वातावरण प्रदान गर्दछ र प्रशस्त सतहमा ग्यास रासायनिक प्रतिक्रिया जम्मा गर्दा।

VeTek सेमीकन्डक्टरको SiC कोटिंग ग्रेफाइट MOCVD हीटर SiC कोटिंगको साथ उच्च गुणस्तरको ग्रेफाइट सामग्रीबाट बनेको छ। SiC कोटेड ग्रेफाइट MOCVD हीटरले प्रतिरोधी तताउने सिद्धान्त मार्फत ताप उत्पन्न गर्छ।

SiC कोटिंग ग्रेफाइट MOCVD हीटरको कोर ग्रेफाइट सब्सट्रेट हो। वर्तमान बाह्य विद्युत आपूर्ति मार्फत लागू गरिन्छ, र ग्रेफाइटको प्रतिरोधी विशेषताहरू आवश्यक उच्च तापक्रम प्राप्त गर्न ताप उत्पन्न गर्न प्रयोग गरिन्छ। ग्रेफाइट सब्सट्रेटको थर्मल चालकता उत्कृष्ट छ, जसले तुरुन्तै गर्मी सञ्चालन गर्न सक्छ र सम्पूर्ण हीटर सतहमा समान रूपमा तापमान स्थानान्तरण गर्न सक्छ। एकै समयमा, SiC कोटिंगले ग्रेफाइटको थर्मल चालकतालाई असर गर्दैन, हीटरले तापमान परिवर्तनहरूमा छिटो प्रतिक्रिया दिन र समान तापमान वितरण सुनिश्चित गर्न अनुमति दिन्छ।

शुद्ध ग्रेफाइट उच्च तापमान अवस्थाहरूमा अक्सीकरणको लागि प्रवण हुन्छ। SiC कोटिंगले प्रभावकारी रूपमा ग्रेफाइटलाई अक्सिजनसँग प्रत्यक्ष सम्पर्कबाट अलग गर्छ, जसले गर्दा अक्सिजन प्रतिक्रियाहरूलाई रोक्छ र हीटरको जीवन विस्तार गर्दछ। थप रूपमा, MOCVD उपकरणहरूले रासायनिक वाष्प निक्षेपको लागि संक्षारक ग्यासहरू (जस्तै अमोनिया, हाइड्रोजन, आदि) प्रयोग गर्दछ। SiC कोटिंगको रासायनिक स्थिरताले यी संक्षारक ग्याँसहरूको क्षरणलाई प्रभावकारी रूपमा प्रतिरोध गर्न र ग्रेफाइट सब्सट्रेटलाई सुरक्षित गर्न सक्षम बनाउँछ।

उच्च तापमान अन्तर्गत, अपेक्षित ग्रेफाइट सामग्रीहरूले कार्बन कणहरू जारी गर्न सक्दछ, जसले फिल्मको जम्मा गुणलाई असर गर्दछ। SIC CATITINT को अनुप्रयोगले कार्बवडी प्रक्रियालाई रिहाइज गर्दछ, MUCVD प्रक्रियालाई सफा वातावरणमा पुर्याउन अनुमति दिईन्छ, अर्धवाण्डको आवश्यकतालाई उच्च सरसफाइ आवश्यकताहरू प्रदान गर्दछ।

अन्तमा, SiC कोटिंग ग्रेफाइट MOCVD हीटर सामान्यतया गोलाकार वा अन्य नियमित आकारमा सब्सट्रेट सतहमा समान तापमान सुनिश्चित गर्न डिजाइन गरिएको छ। तापक्रम एकरूपता बाक्लो फिल्महरूको समान वृद्धिको लागि महत्त्वपूर्ण छ, विशेष गरी III-V कम्पाउन्डहरू जस्तै GaN र InP को MOCVD एपिटेक्सियल वृद्धि प्रक्रियामा।

VeTeK सेमीकन्डक्टरले व्यावसायिक अनुकूलन सेवाहरू प्रदान गर्दछ। उद्योग-अग्रणी मेसिनिङ र SiC कोटिंग क्षमताहरूले हामीलाई MOCVD उपकरणहरूको लागि उच्च-स्तरको हीटरहरू निर्माण गर्न सक्षम गर्दछ, धेरै MOCVD उपकरणहरूको लागि उपयुक्त।

CVD SiC कोटिंग को आधारभूत भौतिक गुण

Veetchconducortuctuctor Scic sice cupite ग्राफिडी Mucvd हीभर पसलहरु