सिलिकन कार्बर्ड Nanommarials

सिलिकन कार्बर्ड Nanommarials

सिलिकन कार्ब्याइड Nanommarials (SIC NANOMEMETIALS) को सामग्रीमा सन्दर्भितसिलिकन कार्बइड (SIC)NANIMETAME मा कम्तिमा एक आयामको साथ (सामान्यतया 1-100nm) को रूपमा परिभाषित गरिएको तीन-आयामी स्थानमा परिभाषित गरियो। सिलिकन कार्थेड Nanommarials शून्य-आयामी, एक आयामी, एक आयामी, एक आयामी र तीन-आयामी संरचनाहरु को संरचना अनुसार वर्गीकृत गर्न सकिन्छ।

शून्य आयामिक नानास्टरसंरचनाहरू हुन् जसको सबै आयामहरू नानामीटर स्केलमा छन्, मुख्यतया ठोस नानोक्रेटलहरू, खाली ननोस्पोरहरू सहित, होलो नानाहरू र कोरको शेल नानहेयरहरू।

एक आयामी नानास्टरर्ससंरचनाहरूलाई सन्दर्भित गर्नुहोस् जहाँ दुई आयाम तीन आयामिक स्थानमा नानमीनर स्केलमा सीमित छन्। यो संरचनाको नानाहरू (ठोस केन्द्र), नानाबेलहरू (खाली आयताकार क्रस-सेप्टेम्बर) सहित धेरै फारमहरू छन् (खाली आयताकार क्रस-सेक्सन (ponoprist क्रस-सेक्शन)। यो संरचना मसस्कोप्टिक भौतिक विज्ञान र ननोस्केल उपकरण निर्माणमा यसको अद्वितीय अनुसन्धानको केन्द्रबिन्दु भएको छ। उदाहरण को लागी, एक आयामी नानास्ट्रॉस्ट्रॉडरमा क्यारियरले संरचनाको एक दिशामा मात्र प्रचार गर्न सक्दछ (i.e. नानोभेर्टिक्सनको जीवन्त दिशाहरू र मुख्य उपकरणहरू प्रयोग गर्न सकिन्छ।

दुई-आयामिक नानास्ट्रॉस्टरनानोस्केलमा केवल एउटा आयाम छ, प्राय: उनीहरूको तहका मूर्तिहरू, जस्तै नानोशेट्स, नानोशेट्स, नानोहरू, सौरहरू, सौरात्मक कक्षहरू, आदि जस्ता उनीहरूको सम्भावित अनुप्रयोगहरू पनि विशेष ध्यान दिएका छन्।

तीन-आयामिक नानास्टरहरूप्राय: जटिल नानोस्ट्रॉस्टर भनिन्छ, जुन शून्य-आयामी, एक आयामी ज ;्कन, र दुई-आयाममा जम्मा गरिएको छ, र उनीहरूको समग्र ज्याकोटिक आयामहरूमा जडान गरिन्छ, र उनीहरूको समग्र ज्याकोमिटर आयामहरू छन्। प्रति युनिट टॉपले दक्ष प्रकाश शोषण, द्रुत अन्तरजातीय चार्ज ट्रान्सफर, र टेक योग्य इन्स्टेशन यातायातका लागि लामो समग्र ननिपानीको साथ त्यस्ता जटिल नानोस्ट्रक्चरहरू, र ट्यूबल इन्चेशन यातायात क्षमताहरू। यी सुविधाहरूले भविष्यको ऊर्जा रूपान्तरण र भण्डारण अनुप्रयोगहरूमा डिजाइन अघि डिजाइन गर्नमा तीन-आयामी नानोस्ट्रासहरू सक्षम गर्दछ। 0 डीएचडीसम्म 3D संरचनाहरू, नानामेटिरियलको बिभिन्न प्रकारले अध्ययन गरिएको छ र बिस्तारै उद्योग र दैनिक जीवनमा परिचय गराइएको छ।

SIC NONOMermarials को सिन्टेसिस विधिहरू

शून्य-आयामी सामग्रीहरू तातो पग्लिएर विधि, इलेक्ट्रोकेचमिकल एचिंग विधि, लेजर Pyroilyischibs, आदिSIC ठोसNanocrystles केही नानोमीहरु बाट नानोमिटरहरु बाट को लागी, तर सामान्यतया psudo-गोलाकार छन्, चित्र 1 मा देखाईएको छ।

फिगर 1 टेम छविहरूको β-SIC Nanantystles ले विभिन्न विधिहरू द्वारा तयार गरी

(a) सोलिभरमेल संश्लेषण [) 34]; (ख) इलेक्ट्रोकेमिकल एक्सचिलो विधि [] 35]; (c) थर्मल प्रशोधन [] 48]; (d) लेजर पाइलोलिसिस [49]]

Dagg एट अल। Sio2, Mg र C C को powders बीच ठोस-राज्य डबल विघफोषण प्रतिक्रिया को साथ संश्लेषित गोलाकार sy-SIC Nanocytals प्रतिक्रिया [55], चित्र 2 मा देखाईएको छ।

चित्र 2 feemabyrystuests को साथ विभिन्न व्यासको साथ स्पानल साइज ननोक्रोस्टलहरूको छविहरू [] 55]

(क) .31..3 ± ...5 NM; (B) .8 2..8 ± 6..6 एनएम; (c) 278..3.3.2 NM

BAPE चरण SIC नानाहरू बढाउँदै vapor चरण विधि। ग्यास चरण स्यान्टेसिस SIC नानाहरू गठनका लागि सबैभन्दा परिपक्व विधि हो। एक विशिष्ट प्रक्रियामा, बाफ पदार्थहरू फार्मको रूपमा फारमहरू फार्मको रूपमा प्रयोग गरिन्छ जुन अन्तिम उत्पादनको रूपमा प्रयोग गरिन्छ, रासायनिक घटाइएको र गैडेन्ट प्रतिक्रिया (उच्च तापमान) आवश्यक छ। यद्यपि उच्च तापक्रमले अतिरिक्त उर्जा खपत बढाउँदछ, यो विधि द्वारा बढेको SIN Nanwaries यस विधिमा उच्च क्रिस्टल ईन्जेक्टरी, स्पष्ट नानाबल्स, ननपोलिशहरू, ननोरोडहरू, Encoolys।

आंकडा tirsical अनआक्षण एक आयामी SIC NONOSTERS को विशिष्ट मोरोफ्युज 

(a) कार्बन फाइबरहरूमा नानावर्ड आर्नियर; (बी) NI-SI बलमा अल्ट्र ong नानाहरू; (c) नानाभरि; (d) Nanoprisms; (E) नानोबान्ड्रोलो; (f) नाननोडलहरू; g) नानोबोन्स; (H) नानोखािन; (i) nanotubes

SIC नानाहरूको तयारीको लागि समाधान विधि। समाधान विधि SIC नानाहरू तयार पार्न प्रयोग गरिन्छ, जसले प्रतिक्रियाको तापक्रम कम गर्दछ। विधिले एक समाधानमा क्रिस्टलीकरण समावेश हुन सक्छ जब स्पेजिकल रासायनिक कटौती वा सम्भावित हल्का तापक्रममा अन्य प्रतिक्रियाहरू। समाधान विधिका प्रतिनिधिहरू, सोलौम्बरल स्यान्टेस र हाइड्रोथर्मिल स्यान्टेसिसहरू कम तापमानमा साइज नानाहरू प्राप्त गर्न प्रयोग गरिएको छ।

दुई-आयामिक Nanommarialials द्वारा सोलभर्गमल विधिहरू द्वारा तयार गर्न सकिन्छ, लासरहरू, कार्बन थर्मल कटौती, मेरियल अवस्थितता, र माइक्रोवेभ प्लाज्मा बढाउनुहोस्Cvrd। होन एट अल। आकृति in मा देखाईएको 3 डी एसआईडी नानास्ट्रेर्स्ट्रेरिचर महसुस भयो। SEM छविले देखाउँदछ कि फूलको छविले देखाउँदछ कि फूलको संरचनाले 1-2 μm को एक लम्बाइ हो।

आंकडा 4 SEM छवि एक तीन-आयामिक Sic NANWORE फूलको फूलको छवि

SIC NONOMermarys को प्रदर्शन

SIC NONOMATIATIALE उत्कृष्ट प्रदर्शनको साथ एक उन्नत सिरेमिक सामग्री हो, जसको राम्रो शारीरिक, रसायनिक, इलेक्ट्रिकल र अन्य गुणहरू छन्।

✔ भौतिक गुणहरू

उच्च कठोरता: नानो-सिलिकनको लजिंगको माइक्रोहाइड र हीराको बीचमा छ, र यसको यांतिक बल कंकीमको भन्दा माथि छ। यसमा उच्च पोशाक र राम्रो आत्म-लुब्रिकेसन छ।

उच्च थर्मल कम्युनिटी: ननो-सिलिकन कार्थ्रोइडसँग उत्कृष्ट थर्मल संकुचन छ र एक उत्कृष्ट थर्मल संचालित सामग्री हो।

कम थर्मल विस्तार गुणांक: यसले नानो-सिलिकन कार्ब्याइडलाई स्थिर आकार र आकारमा उच्च तापमान सर्तहरूको अन्तर्गत प्रदान गर्न अनुमति दिन्छ।

उच्च विशिष्ट सतह क्षेत्र: Nanomateralials को एक विशेषता, यो यसको सतह गतिविधि र प्रतिक्रिया प्रदर्शन सुधार गर्न अनुकूल छ।

✔ रासायनिक गुणहरू

रासायनिक स्थिरता: नानो-सिलिकन कार्बर्डसँग स्थिर रासायनिक गुणहरू छन् र विभिन्न वातावरणमा यसको प्रदर्शन कायम राख्न सक्दछ।

एन्टिरियोक्डिडेशन: यसले उच्च तापक्रममा अक्सिडियन प्रतिरोध गर्न सक्दछ र उत्कृष्ट उच्च तापक्रम प्रतिरोध प्रदर्शन गर्दछ।

✔विद्युतीय गुणहरू

उच्च ब्यान्डेप: उच्च ब्यान्डमापले उच्च ब्यारेजन, उच्च शक्ति, र कम ऊर्जा इलेक्ट्रॉनिक उपकरणहरू बनाउनको लागि एक आदर्श सामग्री बनाउँदछ।

उच्च इलेक्ट्रोनिक संतृप्ति गतिशीलता: यो इलेक्ट्रोनको द्रुत प्रसारणमा अनुकूल छ।

✔अन्य विशेषताहरु

कडा विकिरण प्रतिरोध: यसले विकिरण वातावरणमा स्थिर प्रदर्शन कायम राख्न सक्छ।

राम्रो मेकानिकल गुणहरू: यसको उत्कृष्ट मेकानिकल सम्पत्तिहरू जस्तै उच्च लोचदार मोडेलस छ।

SIC NONOMermarys को आवेदन

इलेक्ट्रोनिक्स र अर्धोन्डुनिक उपकरणहरू: यसको उत्कृष्ट इलेक्ट्रॉनिक गुणहरू र उच्च-तापमान स्थिरता, ननो-सिलिकन क्यारेक्टरहरू उच्च-पाली इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्टहरू, उच्च-फ्रिक्वेन्सी उपकरणहरू, अप्टाईलेट्रोनिक कम्पोनेन्सहरू र अन्य क्षेत्रहरूमा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ। उही समयमा, यो अर्धोन्डरकय उपकरणहरू निर्माणको लागि आदर्श पनि हो।

अप्टिकल अनुप्रयोगहरू: NOOO-सिलिकन कार्बर्डसँग फराकिलो ब्यान्ड्याप र उत्कृष्ट अप्टिकल गुणहरू छन्, र उच्च प्रदर्शन लासरहरू, नेतृत्व, फोटोभल्टिनिक उपकरणहरू, आदि उत्पादन गर्न प्रयोग गर्न सकिन्छ।

खर्मकाे भाग: यसको उच्च कठोरताका फाइदाहरू लिदै र प्रतिरोधको प्रतिरोधमा, नानो-सिलिकन कार्बर्डको एक व्याकुलताका अंशहरू, जस्तै भागहरू, क्यान्केनिक सिलहरू, लिने प्रतिरोध र सेवा जीवन बिताउन सक्छन्।

Nanookoposite सामग्रीहरू: Nano-सिलिकन कार्बर्ड अन्य सामग्रीहरू अन्य सामग्रीहरूसँग मिलाउन सकिन्छ र गैरकानुनीपोजेटहरू गठन गर्न वा व्यावसायिक गुणहरू, थर्मल संकुलवादी र सामग्रीको प्रतिबन्ध सुधार गर्न। यो नानोओपोम्पोपस्केट्स सामग्री Aeropose, स्वचालित उद्योग, ऊर्जा क्षेत्र, आदि मा प्रयोग गरीन्छ

उच्च तापमान संरचनात्मक सामग्रीहरू: NONOसिलिकन कार्बइडउत्कृष्ट उच्च तापमान स्थिरता र प्रतिरोध प्रतिरोध, र चरम उचाइ वातावरणमा प्रयोग गर्न सकिन्छ। तसर्थ, यो एयरस्पेस, पेट्रोममिकल, मेटाल्ली र अन्य क्षेत्रहरूमा उच्च तापमान संरचनात्मक सामग्रीको रूपमा प्रयोग गरिन्छ, जस्तै उत्पादनउच्च तापमान भट्टीहरू, भण्डार ट्यूबहरू, प्राल्दा लाइनहरू, आदि

अन्य अनुप्रयोगहरू: ननो सिलिकन कार्बर्ड पनि हाइड्रोजन भण्डारण, फोटोकतालिसिस र सेन्सिंग र सेन्सिंगमा प्रयोग गरिएको छ, विस्तृत अनुप्रयोग संभावना देखाउँदै।