साइक वृद्धिको लागि कोर सामग्री के हो?

उच्च-गुणवत्ता र उच्च-उत्पादित सिलिकन कार्यसँगको तयारीमा, यसको मुख्यले राम्रो थर्मल फिल्ड सामग्रीको उत्पादन तापमानको आवश्यक नियन्त्रण आवश्यक छ। हाल, मुख्य रूपले प्रयोग गरीएको थर्मल क्षेत्र क्रूस क्रीयली वर्गकहरू, जसको काम तातो कार्बन पाउडर र गर्मी कायम राख्नको लागि हो। ग्राफेट्स सामग्रीमा उच्च विशिष्ट शक्ति र विशिष्ट मोडुलसको विशेषताहरू छन्, राम्रो थर्मल श्रृंगार प्रतिरोध र प्रतिरोधको प्रतिरोध, आदि, तिनीहरूसँग अतुलंश र नराम्रो स्क्र्याच प्रतिरोध। सिलिकन कार्थेड एकल क्रिस्टलहरूको बृद्धिमा र सिलिकन कार्बर्ड अक्षराल वेफरको उत्पादन, ती ग्रेफाइट सामग्रीहरूको लागि बढ्दो कदर उपयोग आवश्यकताहरू पूरा गर्न गाह्रो छ, जसले उनीहरूको विकास र व्यावहारिक अनुप्रयोगलाई गम्भीरतापूर्वक प्रतिबन्ध पुर्याउँछ। तसर्थ, उच्च तापमान कोटिंग जस्तैtantalum carberideउठ्न थाले।

TAC CERIRICICES सँग 888800 भन्दा माथि पेलिंग पोइन्ट छ, उच्चतम कठोरता (MUSS कठोरता), र एक अपेक्षाकृत सानो तरंगल संकुचित (22 -400 × 10-6k-1)। तिनीहरू उत्कृष्ट थर्मल रासायनिक स्थिरता र उत्कृष्ट भौतिक गुणहरू प्रदर्शन गर्छन्। TAC कोटिंग्सले ग्राफिट र C / C को कम्पोजिटसँगको उत्कृष्ट रसायनिक अनुकूलता छ। तसर्थ, तिनीहरू आर्स्पेस थर्मल संरक्षण, एकल क्रिस्टल बृद्धि, ऊर्जा इलेक्ट्रोनिक्स, र चिकित्सा उपकरणहरू र चिकित्सा उपकरणहरू र चिकित्सा उपकरणहरूमा प्रयोग गरिन्छ।

Tac लेपित ग्राफ्वीटलाई जन्मेको ग्राफिट भन्दा राम्रो रासायनिक प्रतिरोधको प्रतिरोध छSIC लेपितGrafite। यो 2600 डिग्री सेल्सियसको उच्च तापमानमा स्थिर रूपमा प्रयोग गर्न सकिन्छ र धेरै धातु तत्वहरूको साथ प्रतिक्रिया गर्दैन। यो एकल पुस्ताको क्रिस्टल बृद्धि र वेफर को वेगरमा परिष्कृत कोटिंग हो, र प्रक्रियामा तापमान र अशुद्धताहरूको नियन्त्रणमा उल्लेखनीय रूपमा सुधार गर्न सक्दछ। उच्च-गुणवत्ता सिलिकन कार्स्टेड वेफर र सम्बन्धित एपिट्याजिकल वेफर तयार गर्नुहोस्। यो विशेष गरी मुकुट उपकरणहरू र SVT एकल क्रिस्टलहरूमा बढेको gan वा Aln एकल क्रिस्टलहरूको लागि उपयुक्त छ PVT उपकरणहरूमा, र हुर्केका एकल क्रिस्टलहरूको गुणस्तर उल्लेखनीय सुधार भएको छ।