सिलिकन कार्बाइड कोटिंग

हाफमुन LPE SiC रिएक्टरहरू भित्र प्रयोग हुने ग्रेफाइट कम्पोनेन्ट हो, मुख्यतया च्याम्बर तातो क्षेत्र वरिपरि स्थापित हुन्छ। यद्यपि यसले वेफरलाई सीधा सम्पर्क गर्दैन, यसले अझै पनि ग्यास प्रवाह स्थिरता र epitaxial वृद्धिको समयमा रिएक्टर सञ्चालनमा भूमिका खेल्छ। उच्च तापक्रम र प्रतिक्रियाशील प्रक्रिया अवस्थाहरू ह्यान्डल गर्न, कम्पोनेन्ट सामान्यतया CVD SiC कोटिंगद्वारा सुरक्षित हुन्छ, जबकि TaC कोटिंग केही अनुप्रयोगहरूको लागि पनि उपलब्ध छ। VETEK ले SiC epitaxy प्रणालीहरूको लागि ग्रेफाइट इन्सुलेशन र अन्य लेपित ग्रेफाइट भागहरू पनि आपूर्ति गर्दछ।

8-इन्च SiC epi शीर्ष रिंग अर्धचालक रिएक्टरहरूको लागि हार्डवेयर भाग हो। यसले Si/SiC epitaxy र MOCVD/CVD प्रणालीहरूमा काम गर्छ। यो औंठीले चेम्बर भित्रको तापलाई स्थिर गर्छ। यसले ग्यासको प्रवाहलाई पनि नियन्त्रण गर्छ। सामग्री उच्च शुद्धता CVD सिलिकन कार्बाइड हो। यसमा ग्रेफाइटको बहिर्गमन समस्याहरू छैनन्। यसले उत्पादनको क्रममा कण प्रदूषणलाई पनि कम गर्छ। हामी तपाईंको सोधपुछलाई स्वागत गर्दछौं।

VETEK MOCVD SiC कोटेड ससेप्टर एक सटीक-इन्जिनियर गरिएको क्यारियर समाधान हो जुन विशेष रूपमा एलईडी र कम्पाउन्ड सेमीकन्डक्टर एपिटेक्सियल वृद्धिको लागि विकसित गरिएको छ। यसले जटिल MOCVD वातावरण भित्र असाधारण थर्मल एकरूपता र रासायनिक जडता देखाउँछ। VETEK को कठोर CVD डिपोजिसन प्रक्रियाको फाइदा उठाउँदै, हामी तपाईंको अर्धचालक उत्पादनको प्रत्येक ब्याचको लागि स्थिर र भरपर्दो कार्यसम्पादन आश्वासन प्रदान गर्दै, वेफर वृद्धि स्थिरता बढाउन र कोर कम्पोनेन्टहरूको सेवा जीवन विस्तार गर्न प्रतिबद्ध छौं।

Veteksemicon ठोस सिलिकन कार्बाइड (SiC) फोकसिङ रिंग उन्नत अर्धचालक एपिटेक्सी र प्लाज्मा नक्काशी प्रक्रियाहरूमा प्रयोग गरिने एक महत्वपूर्ण उपभोग्य कम्पोनेन्ट हो, जहाँ प्लाज्मा वितरण, थर्मल एकरूपता, र वेफर किनार प्रभावहरूको सटीक नियन्त्रण आवश्यक छ। उच्च-शुद्धता ठोस सिलिकन कार्बाइडबाट निर्मित, यो फोकस गर्ने औंठीले असाधारण प्लाज्मा इरोसन प्रतिरोध, उच्च-तापमान स्थिरता, र रासायनिक जडता प्रदर्शन गर्दछ, आक्रामक प्रक्रिया परिस्थितिहरूमा विश्वसनीय प्रदर्शन सक्षम पार्दै। हामी तपाईको सोधपुछको लागि तत्पर छौं।

Veteksemicon SiC लेपित एपिटेक्सियल रिएक्टर च्याम्बर अर्धचालक एपिटेक्सियल वृद्धि प्रक्रियाहरूको माग गर्नको लागि डिजाइन गरिएको मुख्य घटक हो। उन्नत रासायनिक वाष्प निक्षेप (CVD) को उपयोग गर्दै, यो उत्पादनले उच्च-शक्तिको ग्रेफाइट सब्सट्रेटमा बाक्लो, उच्च-शुद्धता SiC कोटिंग बनाउँछ, परिणामस्वरूप उच्च-तापमान स्थिरता र जंग प्रतिरोध। यसले प्रभावकारी रूपमा उच्च-तापमान प्रक्रिया वातावरणमा रिएक्टेन्ट ग्यासहरूको संक्षारक प्रभावहरूको प्रतिरोध गर्दछ, महत्त्वपूर्ण रूपमा कण प्रदूषणलाई दमन गर्दछ, लगातार एपिटेक्सियल सामग्रीको गुणस्तर र उच्च उपज सुनिश्चित गर्दछ, र प्रतिक्रिया कक्षको मर्मत चक्र र जीवनकाललाई पर्याप्त रूपमा विस्तार गर्दछ। यो SiC र GaN जस्ता वाइड-ब्यान्डग्याप अर्धचालकहरूको निर्माण दक्षता र विश्वसनीयता सुधार गर्नको लागि एक प्रमुख विकल्प हो।

सिलिकन कार्बाइड epitaxial वृद्धि को कोर प्रक्रिया मा, Veteksemicon बुझ्छ कि ससेप्टर प्रदर्शन सीधा epitaxial तह को गुणवत्ता र उत्पादन दक्षता निर्धारण गर्दछ। हाम्रो उच्च-शुद्धता EPI ससेप्टरहरू, विशेष रूपमा SiC क्षेत्रको लागि डिजाइन गरिएको, एक विशेष ग्रेफाइट सब्सट्रेट र बाक्लो CVD SiC कोटिंग प्रयोग गर्दछ। तिनीहरूको उच्च थर्मल स्थिरता, उत्कृष्ट जंग प्रतिरोध, र अत्यन्त कम कण उत्पादन दरको साथ, तिनीहरूले कठोर उच्च-तापमान प्रक्रिया वातावरणमा पनि ग्राहकहरूको लागि अतुलनीय मोटाई र डोपिङ एकरूपता सुनिश्चित गर्दछ। Veteksemicon छनौट गर्नु भनेको तपाईको उन्नत अर्धचालक निर्माण प्रक्रियाहरूको लागि विश्वसनीयता र प्रदर्शनको आधारशिला छनोट गर्नु हो।