समाचार

Tantalum carberide (TAC) कोटिंग अर्धन्डुनिक क्षेत्र मा व्यापक रूपमा प्रयोग गरीएको छ, मुख्यतया एपिटाइक्चरल बृद्धित्मक कम्पोनेर्स, उप-तापमान crication, MUCVD Cressial contries, MUCVD प्रणाली को प्रतिरोध, Mucvder craprice Crarrians repters, usl-proplar cricational contries।

SiC epitaxial वृद्धि प्रक्रिया को समयमा, SiC लेपित ग्रेफाइट निलम्बन विफलता हुन सक्छ। यस पेपरले SiC लेपित ग्रेफाइट निलम्बन को विफलता घटना को एक कठोर विश्लेषण सञ्चालन गर्दछ, जसमा मुख्य रूप देखि दुई कारक शामिल छ: SiC epitaxial ग्यास विफलता र SiC कोटिंग विफलता।

यो लेख मुख्यतया सम्बन्धित प्रक्रिया लाभ र आणविक बीम Epitaxy प्रक्रिया र धातु-जैविक रासायनिक वाष्प निक्षेप टेक्नोलोजीहरूको भिन्नताहरू छलफल गर्दछ।

VeTek सेमीकन्डक्टरको पोरस ट्यान्टालम कार्बाइड, SiC क्रिस्टल वृद्धि सामग्रीको नयाँ पुस्ताको रूपमा, धेरै उत्कृष्ट उत्पादन गुणहरू छन् र विभिन्न अर्धचालक प्रशोधन प्रविधिहरूमा मुख्य भूमिका खेल्छ।

उपद्रतोपत्तर भट्टीको कार्यविधि उच्च तापमान र उच्च दबाव अन्तर्गत सबमिन्डुनिक सामग्रीहरू जम्मा गर्नु हो। सिलिकन समझेक्टाइयल बृद्धि समान क्रिस्टर एकल क्रिस्टल रियलिटीको साथ सब्सटल र बिभिन्न मोटाईको साथ क्रिस्टलको एक तह उत्पादन गर्नु हो। यस लेखमा मुख्यतया सिलिकन एपिट्याजिकल वृद्धि विधिहरू प्रस्तुत गर्दछ: बाफ चरणक्सक्स र तरल चरण एपिटक्सिक्स।

सेमीकन्डक्टर निर्माणमा रासायनिक वाष्प निक्षेप (CVD) को पातलो फिल्म सामग्रीहरू कोठमा जम्मा गर्न प्रयोग गरिन्छ, SiO2, SiN, इत्यादि सहित, र सामान्यतया प्रयोग गरिएका प्रकारहरूमा PECVD र LPCVD समावेश छन्। तापक्रम, दबाब र प्रतिक्रिया ग्याँस प्रकार समायोजन गरेर, CVD ले उच्च शुद्धता, एकरूपता र विभिन्न प्रक्रिया आवश्यकताहरू पूरा गर्न राम्रो फिल्म कभरेज प्राप्त गर्दछ।

यस लेखले मुख्यतया सिलिकनको कार्यस्थलको फराकिलो प्रयोगको वेगहरूको वर्णन गर्दछ। यो सिलिकन कार्बड र सम्बन्धित समाधानहरूमा सिलिकन कार्बड क्र्याकहरूको कारणहरूको विश्लेषणमा ध्यान केन्द्रित गर्दछ।

सेमीकन्डक्टर निर्माणमा इचिङ टेक्नोलोजीले अक्सर लोडिङ इफेक्ट, माइक्रो-ग्रुभ इफेक्ट र चार्जिङ इफेक्ट जस्ता समस्याहरूको सामना गर्छ, जसले उत्पादनको गुणस्तरलाई असर गर्छ। सुधार समाधानहरूमा प्लाज्मा घनत्व अनुकूलन, प्रतिक्रिया ग्याँस संरचना समायोजन, भ्याकुम प्रणाली दक्षता सुधार, उचित लिथोग्राफी लेआउट डिजाइन, र उपयुक्त नक्काशी मास्क सामग्री र प्रक्रिया अवस्थाहरू चयन समावेश छ।

तातो प्रेसिंग पास्टर भनेको उच्च-प्रदर्शन साइज साइराइक्स तयार गर्न मुख्य विधि हो। तातो प्रेसिंग लिफ्टिंगको प्रक्रिया समावेश छ: उच्च प्रतियोगिता अनुभरी र उच्च दबावमा चकित र मोल्ड गर्ने र त्यसपछि पाप गर्दै। यस विधिबाट तयार गरिएको S पवित्र उच्च शुद्धता र उच्च घनत्वको फाइदा छ, र वेधर प्रशोधनका लागि पीसिरहेका डिस्प्ने र तातो उपचार उपकरणमा प्रयोग गरिन्छ।

सिलिकन कार्बाइड (SiC) को मुख्य वृद्धि विधिहरूमा PVT, TSSG, र HTCVD, प्रत्येक फरक फाइदा र चुनौतीहरू समावेश छन्। कार्बन-आधारित थर्मल क्षेत्र सामग्री जस्तै इन्सुलेशन प्रणाली, क्रुसिबल, TaC कोटिंग्स, र छिद्रपूर्ण ग्रेफाइटले स्थिरता, थर्मल चालकता, र शुद्धता प्रदान गरेर क्रिस्टल वृद्धि बढाउँछ, SiC को सटीक निर्माण र अनुप्रयोगको लागि आवश्यक छ।

SiC मा उच्च कठोरता, थर्मल चालकता, र जंग प्रतिरोध छ, यसलाई अर्धचालक निर्माणको लागि आदर्श बनाउँछ। CVD SiC कोटिंग रासायनिक वाष्प निक्षेप मार्फत सिर्जना गरिएको छ, उच्च थर्मल चालकता, रासायनिक स्थिरता, र एपिटेक्सियल वृद्धिको लागि मिल्दो जाली स्थिरता प्रदान गर्दछ। यसको कम थर्मल विस्तार र उच्च कठोरताले स्थायित्व र सटीकता सुनिश्चित गर्दछ, यसलाई वेफर क्यारियरहरू, प्रिहिटिंग रिंगहरू, र थप जस्ता अनुप्रयोगहरूमा आवश्यक बनाउँदछ। VeTek सेमीकन्डक्टरले विभिन्न उद्योग आवश्यकताहरूको लागि अनुकूलन SiC कोटिंग्समा माहिर छ।

सिलिकन कार्बइड (SIC) उच्च तापमान प्रतिरोध, प्रतिरोध प्रतिरोध, र उच्च यांत्रिक बल जस्ता उत्कृष्ट गुणहरूको लागि ज्ञात शैलीगत अर्ध चुट्रव्य सामग्री हो। यसमा 200 भन्दा बढी क्रिस्टल संरचनाहरू मात्र एकमात्र घन प्रकारले, अन्य प्रकारहरूको तुलनामा उच्च प्राकृतिक थारनीतीता र प्रत्याभूति प्रदान गर्दछ। CC-SIC यसको उच्च इलेक्ट्रोन गतिशीलता को लागी बाहिर उभिन्छ, यो शक्ति इलेक्ट्रोनिक्समा मस्फुलीहरूको लागि उपयुक्त बनाउँदछ। थप रूपमा, यसले नानोलेक्ट्रोनिक्स, निलो ल्याण्डर्स, र सेन्सरहरूमा ठूलो सम्भावना देखाउँदछ।

डायमण्ड, एक सम्भावित चौथो पुस्ताको "अन्तिम अर्धचालक," यसको असाधारण कठोरता, थर्मल चालकता, र विद्युतीय गुणहरूको कारणले अर्धचालक सब्सट्रेटहरूमा ध्यान पाइरहेको छ। जबकि यसको उच्च लागत र उत्पादन चुनौतीहरूले यसको प्रयोगलाई सीमित गर्दछ, CVD रुचाइएको विधि हो। डोपिङ र ठूलो-क्षेत्र क्रिस्टल चुनौतीहरूको बावजुद, हीराले वाचा राख्छ।

SIC र gan सिलिकन भन्दा फराकिलो ब्यान्ड्याप सेमिड्युजर्टरहरू सहित, जस्तै उच्च ब्रेकफोन भोल्ट, द्रुत स्विच गति, र उत्कृष्ट दक्षता। उच्च थर्मल संकुचितका कारण ठूला-भोल्टेज अनुप्रयोग, उच्च-शक्ति अनुप्रयोगहरूको लागि उत्तम छ, जबकि gan उच्च-फ्रिक्वेन्सी अनुप्रयोगहरूमा यसको उच्च इलेक्ट्रोन गतिशीलता को लागी धन्यवाद।

इलेक्ट्रोन बीम वाष्पीकरण प्रतिरोधी तापको तुलनामा अत्यधिक कुशल र व्यापक रूपमा प्रयोग गरिएको कोटिंग विधि हो, जसले वाष्पीकरण सामग्रीलाई इलेक्ट्रोन बीमले तताउँछ, यसले वाष्पीकरण र पातलो फिल्ममा गाढा बनाउँछ।