उद्योग समाचार

उच्च शुद्धता क्वार्ट्ज सामग्री अर्धचालक उद्योग मा एक महत्वपूर्ण भूमिका खेल्छ। तिनीहरूको उच्च-तापमान प्रतिरोध, जंग प्रतिरोध, थर्मल स्थिरता, र प्रकाश प्रसारण गुणहरूले तिनीहरूलाई महत्वपूर्ण उपभोग्य वस्तुहरू बनाउँछ। क्वार्ट्ज उत्पादनहरू वेफर उत्पादनको उच्च-तापमान र कम-तापमान क्षेत्रहरूमा कम्पोनेन्टहरूको लागि प्रयोग गरिन्छ, निर्माण प्रक्रियाको स्थिरता र सफाई सुनिश्चित गर्दै।

विश्वव्यापी ऊर्जा संक्रमण, एआई क्रान्ति, र नयाँ पुस्ताको सूचना प्रविधिको लहरसँगै, सिलिकन कार्बाइड (SiC) यसको असाधारण भौतिक गुणहरूको कारणले "सम्भावित सामग्री" बाट "रणनीतिक आधारभूत सामग्री" मा द्रुत रूपमा उन्नत भएको छ।

अर्धचालक उच्च-तापमान प्रक्रियाहरूमा, वेफरहरूको ह्यान्डलिङ, समर्थन, र थर्मल उपचार एक विशेष समर्थन घटक-वेफर डुङ्गामा निर्भर हुन्छ। प्रक्रियाको तापक्रम बढ्दै जाँदा र सरसफाई र कण नियन्त्रण आवश्यकताहरू बढ्दै जाँदा, परम्परागत क्वार्ट्ज वेफर डुङ्गाहरूले बिस्तारै छोटो सेवा जीवन, उच्च विकृति दर, र खराब जंग प्रतिरोध जस्ता मुद्दाहरू प्रकट गर्दछ।

सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेटहरूको औद्योगिक-स्केल उत्पादनको लागि, एकल वृद्धि रनको सफलता अन्तिम लक्ष्य होइन। वास्तविक चुनौती भनेको विभिन्न ब्याचहरू, उपकरणहरू र समय अवधिहरूमा बढेको क्रिस्टलहरूले गुणस्तरमा उच्च स्तरको स्थिरता र दोहोरिने योग्यता कायम राख्नु हो। यस सन्दर्भमा, ट्यान्टालम कार्बाइड (TaC) कोटिंगको भूमिका आधारभूत सुरक्षाभन्दा बाहिर जान्छ - यो प्रक्रिया सञ्झ्याललाई स्थिर गर्न र उत्पादनको उपजको सुरक्षामा एक प्रमुख कारक बन्छ।

सिलिकन कार्बाइड (SiC) PVT वृद्धिले गम्भीर थर्मल साइकल चलाउँछ (कोठाको तापमान 2200 ℃ माथि)। कोटिंग र ग्रेफाइट सब्सट्रेटको बीचमा उत्पन्न हुने ठूलो थर्मल तनाव थर्मल एक्सपेन्सन (CTE) को गुणांकमा बेमेलको कारणले कोटिंगको जीवनकाल र अनुप्रयोगको विश्वसनीयता निर्धारण गर्ने मुख्य चुनौती हो।

सिलिकन कार्बाइड (SiC) PVT क्रिस्टल वृद्धि प्रक्रियामा, थर्मल क्षेत्रको स्थिरता र एकरूपताले क्रिस्टल वृद्धि दर, दोष घनत्व, र सामग्री एकरूपतालाई प्रत्यक्ष रूपमा निर्धारण गर्दछ। प्रणाली सीमाको रूपमा, थर्मल-फिल्ड कम्पोनेन्टहरूले सतह थर्मोफिजिकल गुणहरू प्रदर्शन गर्दछ जसको थोरै उतार-चढ़ावहरू उच्च-तापमान परिस्थितिहरूमा नाटकीय रूपमा विस्तारित हुन्छन्, अन्ततः वृद्धि इन्टरफेसमा अस्थिरता निम्त्याउँछ।

फिजिकल भाप ट्रान्सपोर्ट (PVT) विधि मार्फत सिलिकन कार्बाइड (SiC) क्रिस्टलहरू बढाउने प्रक्रियामा, 2000-2500 °C को चरम उच्च तापक्रम एक "दोधारे तरवार" हो - जबकि यसले स्रोत सामग्रीको उदात्तता र यातायातलाई ड्राइभ गर्दछ, यसले नाटकीय रूपमा सबै धातु तत्वहरू, विशेष गरी धातु क्षेत्र भित्रको अशुद्धतालाई तीव्र बनाउँछ। परम्परागत ग्रेफाइट हट-जोन कम्पोनेन्टहरूमा समावेश। एकचोटि यी अशुद्धताहरू वृद्धि इन्टरफेसमा प्रवेश गरेपछि, तिनीहरूले क्रिस्टलको मुख्य गुणस्तरलाई सीधै हानि गर्नेछन्। ट्यान्टलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग्स PVT ​​क्रिस्टल वृद्धिको लागि "वैकल्पिक विकल्प" को सट्टा "अनिवार्य विकल्प" बन्नुको यो आधारभूत कारण हो।

Veteksemicon मा, हामी यी चुनौतिहरू दैनिक रूपमा नेभिगेट गर्छौं, उन्नत एल्युमिनियम अक्साइड सिरेमिकलाई समाधानहरूमा परिणत गर्नमा विशेषज्ञता राख्छौं जसले सटीक विशिष्टताहरू पूरा गर्दछ। सही मेसिन र प्रशोधन विधिहरू बुझ्न महत्त्वपूर्ण छ, किनकि गलत दृष्टिकोणले महँगो फोहोर र कम्पोनेन्ट विफलता निम्त्याउन सक्छ। यो सम्भव बनाउने व्यावसायिक प्रविधिहरू अन्वेषण गरौं।

वेफर काट्ने क्रममा डाइसिङ पानीमा CO₂ परिचय गर्नु स्थिर चार्ज निर्माण र कम प्रदूषण जोखिमलाई रोक्नको लागि प्रभावकारी प्रक्रिया उपाय हो, जसले डाइसिङ उत्पादन र दीर्घकालीन चिप विश्वसनीयतामा सुधार गर्दछ।

सिलिकन वेफर्स एकीकृत सर्किट र अर्धचालक उपकरणहरूको आधार हो। तिनीहरूसँग एक रोचक विशेषता छ - समतल किनाराहरू वा छेउमा स-साना ग्रोभहरू। यो कुनै दोष होइन, तर जानाजानी डिजाइन गरिएको कार्यात्मक मार्कर हो। वास्तवमा, यो खाचले सम्पूर्ण निर्माण प्रक्रियामा दिशात्मक सन्दर्भ र पहिचान मार्करको रूपमा कार्य गर्दछ।

केमिकल मेकानिकल पॉलिशिङ (CMP) ले रासायनिक प्रतिक्रिया र मेकानिकल घर्षणको संयुक्त कार्य मार्फत अतिरिक्त सामग्री र सतह दोषहरू हटाउँछ। यो वेफर सतहको विश्वव्यापी प्लानराइजेशन प्राप्त गर्नको लागि एक प्रमुख प्रक्रिया हो र बहु-तह तामा इन्टरकनेक्टहरू र कम-के डाइलेक्ट्रिक संरचनाहरूको लागि अपरिहार्य छ। व्यावहारिक उत्पादन मा

सिलिकन वेफर सीएमपी (केमिकल मेकानिकल प्लानराइजेशन) पॉलिशिंग स्लरी अर्धचालक निर्माण प्रक्रियामा एक महत्वपूर्ण घटक हो। सिलिकन वेफरहरू - एकीकृत सर्किटहरू (ICs) र माइक्रोचिपहरू सिर्जना गर्न प्रयोग गरिन्छ - उत्पादनको अर्को चरणहरूको लागि आवश्यक सहजताको सही स्तरमा पालिश गरिएको छ भन्ने सुनिश्चित गर्न यसले महत्त्वपूर्ण भूमिका खेल्छ।

अर्धचालक निर्माणमा, केमिकल मेकानिकल प्लानराइजेशन (CMP) ले महत्त्वपूर्ण भूमिका खेल्छ। सीएमपी प्रक्रियाले सिलिकन वेफर्सको सतहलाई चिल्लो बनाउन रासायनिक र मेकानिकल कार्यहरू संयोजन गर्दछ, पछिका चरणहरू जस्तै पातलो-फिल्म डिपोजिसन र एचिंगको लागि एक समान आधार प्रदान गर्दछ। CMP पालिश गर्ने स्लरी, यस प्रक्रियाको मुख्य भागको रूपमा, महत्त्वपूर्ण रूपमा पालिश गर्ने दक्षता, सतहको गुणस्तर, र उत्पादनको अन्तिम प्रदर्शनलाई असर गर्छ।

वेफर सीएमपी पॉलिशिंग स्लरी एक विशेष तरल पदार्थ हो जुन सेमीकन्डक्टर निर्माणको सीएमपी प्रक्रियामा प्रयोग गरिन्छ। यसमा पानी, रासायनिक नक्काशीहरू, घर्षणहरू, र सर्फेक्टन्टहरू हुन्छन्, जसले रासायनिक नक्काशी र मेकानिकल पालिसिङ दुवै सक्षम गर्दछ।

सिलिकन कार्बाइड एब्रेसिभहरू सामान्यतया क्वार्ट्ज र पेट्रोलियम कोक प्रयोग गरेर प्राथमिक कच्चा मालको रूपमा उत्पादन गरिन्छ। तयारी चरणमा, यी सामग्रीहरूलाई फर्नेस चार्जमा रासायनिक रूपमा अनुपातित हुनु अघि इच्छित कण आकार प्राप्त गर्न मेकानिकल प्रशोधन गरिन्छ।

विगतका केही वर्षहरूमा, प्याकेजिङ प्रविधिको केन्द्र चरणलाई क्रमशः "पुरानो प्रविधि" - CMP (केमिकल मेकानिकल पालिसिङ) लाई हस्तान्तरण गरिएको छ। जब हाइब्रिड बन्डिङ उन्नत प्याकेजिङ्गको नयाँ पुस्ताको प्रमुख भूमिका हुन्छ, CMP बिस्तारै पर्दा पछाडिबाट स्पटलाइटमा सर्दैछ।