समाचार

समाचार

हामी तपाईसँग हाम्रो कामको नतिजा, कम्पनी समाचार, र तपाईलाई समयमै विकास र कर्मचारी नियुक्ति र हटाउने सर्तहरू प्रदान गर्न पाउँदा खुसी छौं।
50% देखि 90% सम्म CVD उपज बढाउन SiC कोटिंग किनारा पहेंलो समाधान गर्दै05 2026-08

50% देखि 90% सम्म CVD उपज बढाउन SiC कोटिंग किनारा पहेंलो समाधान गर्दै

MOCVD epitaxy ग्रेफाइट ससेप्टरहरूमा सिलिकन कार्बाइड कोटिंगको किनारा पहेंलो हुने र पिलिङको कारणहरूको गहन विश्लेषण। VeTek ले प्रारम्भिक CVD डिपोजिसन रेट र फ्लो फिल्डलाई ठीकसँग नियन्त्रण गरेर, कोटिंग उत्पादनलाई 50% बाट 90% मा बढाएर र उच्च शुद्धता ग्रेफाइट भागहरूको सेवा जीवन विस्तार गरेर माइक्रो-तनाव हटायो।
बहु-पकेट सिलिकन एपिटेक्सी ग्रेफाइट ससेप्टरहरूमा उच्च पकेट-देखि-पकेट भिन्नता कसरी समाधान गर्ने?03 2026-08

बहु-पकेट सिलिकन एपिटेक्सी ग्रेफाइट ससेप्टरहरूमा उच्च पकेट-देखि-पकेट भिन्नता कसरी समाधान गर्ने?

मल्टि-पकेट सिलिकन एपिटाक्सी ग्रेफाइट ससेप्टरहरूमा 1.4% पकेट-टू-पकेट मोटाई भिन्नतालाई सम्बोधन गर्दै, VeTek सेमीले ससेप्टर फ्ल्याटनेसलाई <0.08mm मा सुधार गर्‍यो र CVD प्रवाह फिल्ड सिमुलेशन र अल्ट्रा-प्रीसिजन सिमुलेशन मार्फत भिन्नतालाई 0.69% मा घटायो।
MOCVD SiC लेपित ग्रेफाइट ससेप्टर क्र्याकिंग विश्लेषण र थर्मल तनाव अनुकूलन केस स्टडी30 2026-07

MOCVD SiC लेपित ग्रेफाइट ससेप्टर क्र्याकिंग विश्लेषण र थर्मल तनाव अनुकूलन केस स्टडी

Vetek ले ठूलो आकारको MOCVD SiC-लेपित ग्रेफाइट ससेप्टरहरूमा रेडियल क्र्याकिंग कसरी हटायो जान्नुहोस्। संरचनात्मक तनाव बफर पुन: डिजाइन र CTE मिल्दो सेवा जीवन 300% + बढ्यो।
4-इन्च देखि 8-इन्च: SiC सेमीकन्डक्टर वृद्धिको एक दशक25 2026-07

4-इन्च देखि 8-इन्च: SiC सेमीकन्डक्टर वृद्धिको एक दशक

SiC विकासको एक दशक - प्रारम्भिक 4-इन्च व्यावसायीकरण चुनौतीहरूदेखि आजको 8-इन्च वेफर संक्रमणमा। पत्ता लगाउनुहोस् कसरी CVD SiC कोटिंग्स, ठोस SiC, र TaC सामग्रीहरूले भरपर्दो सेमीकन्डक्टर निर्माणलाई सक्षम पार्छ।
किन SiC लेपित ग्रेफाइट ससेप्टर सेमीकन्डक्टर एपिटेक्सीको लागि आवश्यक छ17 2026-07

किन SiC लेपित ग्रेफाइट ससेप्टर सेमीकन्डक्टर एपिटेक्सीको लागि आवश्यक छ

सिक्नुहोस् कसरी CVD SiC-कोटेड ग्रेफाइट ससेप्टरहरूले थर्मल एकरूपता सुधार गरेर, प्रदूषण घटाएर, र SiC, GaN, LED, र सिलिकन अर्धचालक निर्माणमा कम्पोनेन्ट जीवन विस्तार गरेर एपिटेक्सियल वृद्धि बढाउँछन्।
किन TaC-लेपित ग्रेफाइट हीटरहरू GaN MOCVD Epitaxy को भविष्यको रूपमा उभरिरहेका छन्10 2026-07

किन TaC-लेपित ग्रेफाइट हीटरहरू GaN MOCVD Epitaxy को भविष्यको रूपमा उभरिरहेका छन्

कसरी TaC-कोटेड ग्रेफाइट हीटरहरूले तापक्रम एकरूपता बढाउँछ, ऊर्जा खपत घटाउँछ, र पारंपरिक pBN-लेपित हीटरहरूको तुलनामा GaN MOCVD एपिटेक्सीमा सेवा जीवन विस्तार गर्छ भनेर पत्ता लगाउनुहोस्।
कसरी TaC कोटिंगले PVT अनुप्रयोगहरूमा SiC क्रिस्टल वृद्धि बढाउँछ03 2026-07

कसरी TaC कोटिंगले PVT अनुप्रयोगहरूमा SiC क्रिस्टल वृद्धि बढाउँछ

कसरी CVD TaC कोटिंगले कार्बन प्रदूषण घटाएर, ग्रेफाइट कम्पोनेन्टहरूको सुरक्षा गरेर, सेवा जीवन विस्तार गरेर, उन्नत अर्धचालक निर्माणको लागि क्रिस्टलको गुणस्तर बढाएर PVT फर्नेसहरूमा SiC क्रिस्टल वृद्धिलाई सुधार गर्छ पत्ता लगाउनुहोस्।
किन TaC कोटिंग सेमीकन्डक्टर ग्रेफाइट कम्पोनेन्टहरूको लागि रुचाइएको छनोट बनिरहेको छ26 2026-06

किन TaC कोटिंग सेमीकन्डक्टर ग्रेफाइट कम्पोनेन्टहरूको लागि रुचाइएको छनोट बनिरहेको छ

पत्ता लगाउनुहोस् किन CVD TaC कोटिंग अर्धचालक ग्रेफाइट घटकहरूको लागि रुचाइएको सुरक्षात्मक समाधान बनिरहेको छ। यसका फाइदाहरू, SiC क्रिस्टल वृद्धि, GaN MOCVD, र वेफर क्यारियरहरूमा अनुप्रयोगहरू, र यसले कसरी स्थायित्व, शुद्धता र प्रक्रिया स्थिरता सुधार गर्दछ जान्नुहोस्।
Pyrolytic कार्बन (PyC) लेपित ग्रेफाइट रिंगहरू: उच्च-तापमान सेमीकन्डक्टर निर्माणमा विश्वसनीयता सुधार गर्दै17 2026-06

Pyrolytic कार्बन (PyC) लेपित ग्रेफाइट रिंगहरू: उच्च-तापमान सेमीकन्डक्टर निर्माणमा विश्वसनीयता सुधार गर्दै

जान्नुहोस् कि कसरी VETEK पाइरोलाइटिक कार्बन (PyC) लेपित ग्रेफाइट रिंगहरूले थर्मल स्थिरता सुधार गर्दछ, प्रदूषण कम गर्दछ, र SiC क्रिस्टल वृद्धि, epitaxy, CVD, र उच्च-तापमान अर्धचालक प्रक्रियाहरूमा कम्पोनेन्ट जीवन विस्तार गर्दछ।
किन CVD TaC ले तेस्रो-जेनरेशन सेमीकन्डक्टरमा 21 2026-05

किन CVD TaC ले तेस्रो-जेनरेशन सेमीकन्डक्टरमा "उच्च-तापमान आर्मर" कोटि गर्दैछ

कसरी CVD TaC कोटिंगले अल्ट्रा-उच्च थर्मल स्थिरता, जंग प्रतिरोध, अशुद्धता दमन, र MOCVD र epitaxy अनुप्रयोगहरूमा उत्कृष्ट कार्यसम्पादनको साथ SiC क्रिस्टल वृद्धि र अर्धचालक निर्माणलाई सुधार गर्छ पत्ता लगाउनुहोस्।
Aixtron G10 कम्पोनेन्टहरू: उच्च प्रदर्शन SiC Epitaxy को लागि मुख्य भागहरू16 2026-05

Aixtron G10 कम्पोनेन्टहरू: उच्च प्रदर्शन SiC Epitaxy को लागि मुख्य भागहरू

उच्च-टेम्प SiC epitaxy प्रणालीहरूको लागि कुञ्जी Aixtron G10 कम्पोनेन्टहरूमा हेर्नुहोस्। हामी CVD SiC लेपित ग्रेफाइट भागहरू, TaC कोटिंग कम्पोनेन्टहरू, र थर्मल फिल्ड संरचनाहरू कभर गर्छौं - र तिनीहरूले कसरी उन्नत अर्धचालक निर्माणमा प्रक्रिया स्थिरता, शुद्धता नियन्त्रण, र वेफर उत्पादनमा मद्दत गर्छन्।
LPE प्रतिक्रिया कक्षमा हाफमून के हो?09 2026-05

LPE प्रतिक्रिया कक्षमा हाफमून के हो?

LPE प्रतिक्रिया कक्षमा हाफमुन कम्पोनेन्ट के हो र यसले थर्मल स्थिरता, ग्यास प्रवाह व्यवस्थापन, र SiC epitaxy प्रणालीहरूमा रिएक्टर संरचनालाई कसरी समर्थन गर्छ भनेर जान्नुहोस्। ग्रेफाइट सामग्रीहरू, CVD SiC कोटिंग, TaC कोटिंग, र आधुनिक अर्धचालक रिएक्टर प्रविधिहरू अन्वेषण गर्नुहोस्।
SiC सब्सट्रेट्स र उन्नत कोटिंग्सको साथ माइक्रोएलईडी प्रदर्शनलाई अनुकूलन गर्दै25 2026-04

SiC सब्सट्रेट्स र उन्नत कोटिंग्सको साथ माइक्रोएलईडी प्रदर्शनलाई अनुकूलन गर्दै

MicroLED उपज दर संग संघर्ष? थर्मल तनाव र कण प्रदूषण समाधान गर्न किन उद्योग नेताहरू SiC सब्सट्रेटहरू र TaC-लेपित MOCVD कम्पोनेन्टहरूमा सर्दै छन् भनेर पत्ता लगाउनुहोस्। नेक्स्ट-जेन GaN डिस्प्लेहरूको लागि CVD SiC को प्राविधिक किनारा जान्नुहोस्
CVD SiC कोटिंग: प्रक्रिया, लाभ र अनुप्रयोगहरू24 2026-04

CVD SiC कोटिंग: प्रक्रिया, लाभ र अनुप्रयोगहरू

CVD SiC कोटिंग कसरी यसको संरचना, कार्यसम्पादन विशेषताहरू, र विशिष्ट अनुप्रयोगहरू, उच्च-तापमान अनुप्रयोगहरूमा यसको सान्दर्भिकता सहित अर्धचालक प्रक्रियाहरूमा प्रयोग गरिन्छ भनेर अन्वेषण गर्नुहोस्।
फ्याब उपज अधिकतम गर्दै: किन CVD ठोस SiC क्रिटिकल चेम्बर पार्ट्सको लागि अन्तिम विकल्प हो18 2026-04

फ्याब उपज अधिकतम गर्दै: किन CVD ठोस SiC क्रिटिकल चेम्बर पार्ट्सको लागि अन्तिम विकल्प हो

के CVD ठोस SiC लगानीको लायक छ? परम्परागत ग्रेफाइट कोटिंग्स बनाम मोनोलिथिक SiC को ROI तुलना गर्नुहोस्। कसरी उत्कृष्ट प्लाज्मा प्रतिरोध र विस्तारित MTBC ले कम वेफर स्क्र्याप दर र 12-इन्च HVM लाइनहरूको लागि उच्च उपकरण अपटाइममा अनुवाद गर्छ भनेर जान्नुहोस्।
CVD-SiC को विकास पातलो फिल्म कोटिंग्स देखि बल्क सामग्री सम्म10 2026-04

CVD-SiC को विकास पातलो फिल्म कोटिंग्स देखि बल्क सामग्री सम्म

उच्च शुद्धता सामग्री अर्धचालक निर्माण को लागी आवश्यक छ। यी प्रक्रियाहरूमा अत्यधिक गर्मी र संक्षारक रसायनहरू समावेश हुन्छन्। CVD-SiC (रासायनिक भाप निक्षेप सिलिकन कार्बाइड) आवश्यक स्थिरता र बल प्रदान गर्दछ। यो अब यसको उच्च शुद्धता र घनत्वको कारण उन्नत उपकरण भागहरूको लागि प्राथमिक छनोट हो।
X
हामी तपाईंलाई राम्रो ब्राउजिङ अनुभव प्रदान गर्न, साइट ट्राफिक विश्लेषण र सामग्री निजीकृत गर्न कुकीहरू प्रयोग गर्छौं। यो साइट प्रयोग गरेर, तपाईं कुकीहरूको हाम्रो प्रयोगमा सहमत हुनुहुन्छ। गोपनीयता नीति
अस्वीकार गर्नुहोस्स्वीकार गर्नुहोस्